Transistor di potenza in modalità potenziata 600 V a canale N IC GaN IGLR60R190D1XUMA1

GaN IC IGLR60R190D1XUMA1 N-Channel 600V Enhancement Mode Power Transistor

Descrizione del prodottoIGLR60R190D1XUMA1

IGLR60R190D1XUMA1 è un transistor di potenza in modalità di potenziamento a 600 V a canale N.

Specifica diIGLR60R190D1XUMA1

Caratteristica DiIGLR60R190D1XUMA1

• Transistor in modalità di potenziamento

• Scambio ultra veloce

• Nessuna tassa di recupero inverso

• di cilindrata inferiore o uguale a 1000 cm3

• Basso carico di porta, basso carico di uscita

• Superiore robustezza della commutazione

Benefici di IGLR60R190D1XUMA1

• Migliora la densità di potenza

• Consente una frequenza di funzionamento più elevata

• Risparmio di riduzione dei costi del sistema

Applicazioni diIGLR60R190D1XUMA1

• Industrial, telecom, data center SMPS basato sulla topologia a mezzo ponte (topologie a mezzo ponte per la commutazione dura e morbida come Totem pole PFC, high frequency LLC).

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Domande frequenti

D: I vostri prodotti sono originali?
A: Sì, tutti i prodotti sono originali, nuova importazione originale è il nostro scopo.
D: Quali certificati ha?
R: Siamo una società certificata ISO 9001:2015 e membro di ERAI.
D: Puoi supportare ordini o campioni in piccole quantità?Il campione è gratuito?
R: Sì, sosteniamo l'ordine di campione e il piccolo ordine. Il costo del campione è diverso a seconda del tuo ordine o progetto.
D: Come spedisco il mio ordine?
R: Usiamo l'espresso per spedire, come DHL,Fedex,UPS,TNT,EMS. Possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito.I prodotti saranno in buona imballaggio e garantire la sicurezza e siamo responsabili per i danni prodotti al vostro ordine.
D: Che mi dici del tempo di consegna?
R: Possiamo spedire le parti in magazzino entro 5 giorni lavorativi. Se senza magazzino, confermeremo il tempo di consegna in base alla quantità dell'ordine.