Chip integrato A5G26H605W19NR3 N-Channel Enhancement MOSFET Transistor 85 W per 2496-2690 MHz con alte impedenze terminali

A5G26H605W19N 85 W asymmetrical Doherty RF power GaN transistor is designed for cellular base station applications requiring very wide instantaneous bandwidth capability covering the frequency range of 2496 to 2690 MHz.

• Impedanze terminali elevate per prestazioni ottimali di banda larga
• Advanced in confezione ad alte prestazioni Doherty
• Magnitudine migliorata del vettore di errore linearizzato con segnale di prossima generazione
• Capace di sopportare condizioni di funzionamento VSWR e a banda larga ad altissima potenza
• Imballaggio di plastica
• RoHS conforme

• 15+ anni di esperienza in componenti elettronici
• Ordinazione sicura
• Ottimi riscontri
• Data di consegna garantita
• Garanzia di un prezzo basso al 100%
• Esportazione verso 108 paesi, tasso di soddisfazione dei clienti: 99,9%

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. è un distributore indipendente autorizzato di componenti elettronici di marchi di fama mondiale.Mingjiada ha successivamente aperto filiali a Hong Kong., Giappone, Russia e Taiwan. Abbiamo superato le certificazioni effettuate in conformità con ISO9001: 2014 per i sistemi di gestione della qualità e ISO14001: 2014 per i sistemi di gestione ambientale.

Con un team esperto di vendite, ricerca e sviluppo e gestione, siamo specializzati nella distribuzione di prodotti di oltre 500 produttori noti.,Offriamo una gamma completa di prodotti e forniamo anche un servizio di alta qualità e reattivo con i nostri team di logistica e assistenza clienti professionali.Mingjiada si è sviluppata in un importante distributore di componenti elettronici (autorizzato e non autorizzato) che è ben noto nei mercati internazionali e esteri di IC.