Chip di circuito integrato GTVA262701FA-V2-R2 270W RF GaN sui transistor HEMT SiC

Chip di circuito integrato GTVA262701FA-V2-R2 270W RF GaN sui transistor SiC HEMT

Descrizione del prodottoGTVA262701FA-V2-R2

GTVA262701FA-V2-R2 è un transistor ad alta mobilità elettronica (HEMT) a 270 Watt GaN su SiC per l'uso in applicazioni di amplificatori di potenza cellulari multi-standard.con una superficie di montaggio termicamente potenziata con flange senza orecchie.

SpecificitàDiGTVA262701FA-V2-R2

Caratteristica diGTVA262701FA-V2-R2

• GaN sulla tecnologia SiC HEMT
• Input abbinati
• Tipico rendimento CW pulsato: larghezza dell'impulso di 10 μs, 10% del ciclo di lavoro, 2690 MHz, 48 V
- Potenza di uscita a P3dB = 270 W
- Efficienza = 66%
- Guadagno = 18,1 dB
• Modello del corpo umano classe 1B (secondo ANSI/ESDA/JEDEC JS-001)
• Capace di gestire potenza di uscita 10: 1 VSWR @ 48 V, 60 W (WCDMA)
• Esclusi dal Pb e conformi alla RoHS

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Domande frequenti
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