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IC di memoria Chip MT53E256M16D1DS-046 WT:B 4Gbit SDRAM Mobile LPDDR4 IC di memoria VFBGA-200

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Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

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IC di memoria Chip MT53E256M16D1DS-046 WT:B 4Gbit SDRAM Mobile LPDDR4 IC di memoria VFBGA-200

IC di memoria Chip MT53E256M16D1DS-046 WT:B 4Gbit SDRAM Mobile LPDDR4 IC di memoria VFBGA-200
Memory IC Chip MT53E256M16D1DS-046 WT:B 4Gbit SDRAM Mobile LPDDR4 Memory IC VFBGA-200
IC di memoria Chip MT53E256M16D1DS-046 WT:B 4Gbit SDRAM Mobile LPDDR4 IC di memoria VFBGA-200 IC di memoria Chip MT53E256M16D1DS-046 WT:B 4Gbit SDRAM Mobile LPDDR4 IC di memoria VFBGA-200

Grande immagine :  IC di memoria Chip MT53E256M16D1DS-046 WT:B 4Gbit SDRAM Mobile LPDDR4 IC di memoria VFBGA-200

Dettagli:
Luogo di origine: Cn
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: MT5205M1M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: VFBGA-200
Tempi di consegna: 5-8 giorni lavorativi
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union
Contatto

IC di memoria Chip MT53E256M16D1DS-046 WT:B 4Gbit SDRAM Mobile LPDDR4 IC di memoria VFBGA-200

Descrizione
numero della parte: MT5205M1M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2 Dimensione della memoria: 4 Gbit
Larghezza del bus dati: 16 bit Frequenza massima dell'orologio: 2,133 gigahertz
Confezione / Cassa: VFBGA-200 Tipo: SDRAM Mobile - LPDDR4

Chip di memoria IC MT53E256M16D1DS-046 WT:B 4Gbit SDRAM Mobile LPDDR4 IC di memoria VFBGA-200


Descrizione del prodotto MT53E256M16D1DS-046 WT:B

MT53E256M16D1DS-046 WT:B è una memoria CMOS ad alta velocità, con accesso casuale dinamico.


Specifica della MT53E256M16D1DS-046 WT:B

Tipo di memoria
Volatile
Formato di memoria
DRAM
Tecnologia
SDRAM - LPDDR4 mobile
Dimensione della memoria
4Gbit
Organizzazione della memoria
256M x 16
Frequenza dell'orologio
2.133 GHz
Voltaggio - Fornitura
1.1V
Temperatura di funzionamento
-30°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio
Montaggio superficiale
Confezione / Cassa
200-WFBGA
Confezione del dispositivo del fornitore
200-WFBGA (10x14.5)

 

Dimensioni del pacchetto (200-Ball WFBGA 10 mm x 14,5 mm)

IC di memoria Chip MT53E256M16D1DS-046 WT:B 4Gbit SDRAM Mobile LPDDR4 IC di memoria VFBGA-200 0


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Numero della parte Pacco
MT2F1F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F BGA
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MT2F2T08GELCEJ4-QM:C BGA
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Domande frequenti
D. I vostri prodotti sono originali?
A: Sì, tutti i prodotti sono originali, nuova importazione originale è il nostro scopo.
D: Quali certificati ha?
R: Siamo una società certificata ISO 9001:2015 e membro di ERAI.
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