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Chip IC di memoria MT53E256M16D1FW-046 WT:B 4Gbit DRAM parallela LPDDR4 Chip di memoria

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Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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Rassegne del cliente
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Chip IC di memoria MT53E256M16D1FW-046 WT:B 4Gbit DRAM parallela LPDDR4 Chip di memoria

Chip IC di memoria MT53E256M16D1FW-046 WT:B 4Gbit DRAM parallela LPDDR4 Chip di memoria
Memory IC Chip MT53E256M16D1FW-046 WT:B 4Gbit Parallel DRAM LPDDR4 Memory Chips
Chip IC di memoria MT53E256M16D1FW-046 WT:B 4Gbit DRAM parallela LPDDR4 Chip di memoria Chip IC di memoria MT53E256M16D1FW-046 WT:B 4Gbit DRAM parallela LPDDR4 Chip di memoria

Grande immagine :  Chip IC di memoria MT53E256M16D1FW-046 WT:B 4Gbit DRAM parallela LPDDR4 Chip di memoria

Dettagli:
Luogo di origine: Cn
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: MT3M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: VFBGA-200
Tempi di consegna: 5-8 giorni lavorativi
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union
Contatto

Chip IC di memoria MT53E256M16D1FW-046 WT:B 4Gbit DRAM parallela LPDDR4 Chip di memoria

Descrizione
numero della parte: MT3M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M Dimensione della memoria: 4 Gbit
Voltaggio - Fornitura: 1.1V Larghezza del bus dati: 16 bit
Organizzazione: 256 M x 16 Stile di montaggio: SMD/SMT

Chip IC di memoria MT53E256M16D1FW-046 WT:B 4Gbit Parallel DRAM LPDDR4 Chip di memoria


Descrizione del prodotto MT53E256M16D1FW-046 WT:

MT53E256M16D1FW-046 WT:B è un circuito integrato di memoria parallela DRAM LPDDR4 a 4Gbit. È una memoria CMOS ad alta velocità, dinamica ad accesso casuale.


Specifica della MT53E256M16D1FW-046 WT:B

Tipo di memoria
Volatile
Formato di memoria
DRAM
Tecnologia
SDRAM - Mobile LPDDR4X
Dimensione della memoria
4Gbit
Organizzazione della memoria
256M x 16
Interfaccia della memoria
Parallelamente
Frequenza dell'orologio
2.133 GHz
Scrivere il tempo di ciclo - parola, pagina
18 ns
Tempo di accesso
3.5 ns
Voltaggio - Fornitura
1.06V ~ 1.17V
Temperatura di funzionamento
-30°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio
Montaggio superficiale
Confezione / Cassa
200-TFBGA
Confezione del dispositivo del fornitore
200-TFBGA (10x14.5)

 

Dimensioni del pacchetto (200-Ball TFBGA 10mm x 14.5mm x 1.1mm)

Chip IC di memoria MT53E256M16D1FW-046 WT:B 4Gbit DRAM parallela LPDDR4 Chip di memoria 0


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D: Quali certificati ha?
R: Siamo una società certificata ISO 9001:2015 e membro di ERAI.
D: Puoi supportare ordini o campioni in piccole quantità?Il campione è gratuito?
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