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Chip di memoria IC MT62F512M32D2DS-031 FAAT:B 16Gbit LPDDR5 DRAM Data Storage Chip

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(438)
Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

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Chip di memoria IC MT62F512M32D2DS-031 FAAT:B 16Gbit LPDDR5 DRAM Data Storage Chip

Chip di memoria IC MT62F512M32D2DS-031 FAAT:B 16Gbit LPDDR5 DRAM Data Storage Chip
Memory IC Chip MT62F512M32D2DS-031 FAAT:B 16Gbit LPDDR5 DRAM Data Storage Chip
Chip di memoria IC MT62F512M32D2DS-031 FAAT:B 16Gbit LPDDR5 DRAM Data Storage Chip Chip di memoria IC MT62F512M32D2DS-031 FAAT:B 16Gbit LPDDR5 DRAM Data Storage Chip

Grande immagine :  Chip di memoria IC MT62F512M32D2DS-031 FAAT:B 16Gbit LPDDR5 DRAM Data Storage Chip

Dettagli:
Luogo di origine: Cn
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: MT2F512M32D2DS-031 FAAT:B
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: FBGA
Tempi di consegna: 5-8 giorni lavorativi
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union
Contatto

Chip di memoria IC MT62F512M32D2DS-031 FAAT:B 16Gbit LPDDR5 DRAM Data Storage Chip

Descrizione
numero della parte: MT2F512M32D2DS-031 FAAT:B Capacità: 16GB
Nodo nanometrico: 1y Velocità di trasferimento dati: 6.4 Gbps
Organizzazione: 512 m. x 32 Applicazioni: Dispositivi mobili e intelligenza artificiale (IA)

Chip di memoria IC MT62F512M32D2DS-031 FAAT:B 16Gbit LPDDR5 DRAM Data Storage Chip


Descrizione del prodotto MT62F512M32D2DS-031 FAAT:B

MT62F512M32D2DS-031 FAAT:B è un circuito integrato di memoria DRAM LPDDR5 a 16 Gbit per dispositivi mobili e intelligenza artificiale (AI) progettato per soddisfare le esigenze delle reti 5G.La DRAM consente agli smartphone 5G di elaborare dati a velocità di picco fino a 6.4 Gbps.


Specifica della MT62F512M32D2DS-031 FAAT:B

Numero della parte: MT2F512M32D2DS-031 FAAT:B
SDRAM - LPDDR5
16 Gbit
32 bit
512 M x 32
Modello di montaggio: SMD/SMT
Tipo di prodotto: DRAM
Sottocategoria: Memoria e archiviazione dei dati

 

Caratteristiche del MT62F512M32D2DS-031 FAAT:B

  • Nodo avanzato da 1 y nanometro con capacità di 16 GB
  • Velocità dei dati di 6,4 Gbps migliora il design generale della DRAM
  • Larghezza di banda aumentata di oltre il 50% per accelerare le prestazioni delle principali funzionalità degli smartphone di nuova generazione come 5G e AI


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Numero della parte Pacco
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Prodotto Tag:

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Dettagli di contatto
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Fax: 86-0755-83957753

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