IC di memoria Chip MT62F2G64D8CZ-023 AAT:C 128Gbit Automotive LPDDR5 SDRAM Memory IC

IC di memoria Chip MT62F2G64D8CZ-023 AAT:C 128Gbit Automotive LPDDR5 SDRAM IC di memoria

Descrizione del prodotto MT62F2G64D8CZ-023 AAT:C

MT62F2G64D8CZ-023 AAT:C è 128Gbit Automotive LPDDR5 SDRAM Memory Chip per dispositivi mobili e intelligenza artificiale (AI) sono progettati per soddisfare le esigenze delle reti 5G.

Specifica della MT62F2G64D8CZ-023 AAT:C

Caratteristiche del MT62F2G64D8CZ-023 AAT:C

Architettura
¢ 17,1 GB/s larghezza di banda massima per canale
L'intervallo di frequenza: 10675 MHz (intervallo di velocità di trasmissione dati per pin: 853340 Mb/s con WCK:CK = 4:1)
CKR selezionabile (WCK:CK = 2:1 o 4:1)
• Interfaccia dati LPDDR5X/LPDDR5
¢ canale x16 singolo/matrice
¢ Immissione di comando/indirizzo a doppia velocità di dati
Clock di comando differenziale (CK_t/CK_c) per il funzionamento ad alta velocità
¢ orologi di dati differenziali (WCK_t/WCK_c)
– Differential read strobe (RDQS_t/RDQS_c)
Architettura di prefetch a 16 o 32 bit
Lungozza di scatto selezionabile dal comando (BL = 16 o 32) in modalità gruppo o 16 banche
– Background ZQ calibration/command-based ZQ calibration
¢ sostegno alla protezione dei collegamenti (link ECC)
L'autorefrescamento automatico di serie parziale (PASR) e l'autorefrescamento automatico di serie parziale (PAAR) con maschera di segmento
• Corpo a bassa tensione e alimentatori I/O
VDD1 = 1,70 1,95 V; 1,80 V TYP
VDD2H = 1,01 V1,12 V; 1,05 V TYP
VDD2L = VDD2H o 0,87 0,97V; 0,90V TYP
VDDQ = 0,50V o 0,45V1 TYP; 0,30V TYP (solo ODT spento)

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Domande frequenti
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