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Chip di circuito integrato C3M0016120D 1200V 115A SiC Power MOSFET Transistor TO-247-3

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Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

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Chip di circuito integrato C3M0016120D 1200V 115A SiC Power MOSFET Transistor TO-247-3

Chip di circuito integrato C3M0016120D 1200V 115A SiC Power MOSFET Transistor TO-247-3
Integrated Circuit Chip C3M0016120D 1200V 115A SiC Power MOSFET Transistor TO-247-3
Chip di circuito integrato C3M0016120D 1200V 115A SiC Power MOSFET Transistor TO-247-3 Chip di circuito integrato C3M0016120D 1200V 115A SiC Power MOSFET Transistor TO-247-3 Chip di circuito integrato C3M0016120D 1200V 115A SiC Power MOSFET Transistor TO-247-3

Grande immagine :  Chip di circuito integrato C3M0016120D 1200V 115A SiC Power MOSFET Transistor TO-247-3

Dettagli:
Luogo di origine: Cn
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: C3M0016120D
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: TO-247-3
Tempi di consegna: 3-5 giorni lavorativi
Termini di pagamento: T/T
Capacità di alimentazione: 10000 pezzi al giorno
Contatto

Chip di circuito integrato C3M0016120D 1200V 115A SiC Power MOSFET Transistor TO-247-3

Descrizione
Numero della parte: C3M0016120D Modo di Manica: Potenziamento
Configurazione: Non sposato Tempo di caduta: 27 NS
Evidenziare:

C3M0016120D chip di circuito integrato

,

C3M0016120D

Chip di circuito integrato C3M0016120D 1200V 115A SiC Power MOSFET Transistor TO-247-3

 

Descrizione del prodotto C3M0016120D
C3M0016120D è un transistor MOSFET C3MTM a carburo di silicio in modalità di potenziamento a N-canale.

 

C3M0016120D

Trasconduttanza in avanti - Min:

53 S

Id - Corrente di scarico continua:

115 A

Temperatura massima di funzionamento:

+ 175 C

Temperatura minima di funzionamento:

- 40 C.

Numero di canali:

1 canale

Confezione/cassa:

TO-247-3

Pd - Dissipazione di potenza:

556 W

Qg - carica di porta:

207 d.C.

Rds On - Resistenza alla fonte di scarico:

22.3 mOhms

Tempo di partenza:

28 ns

Polarità del transistor:

Canale N

Tempo di ritardo tipico di spegnimento:

84 ns

Tempo di ritardo tipico di accensione:

174 ns

Vds - tensione di rottura della fonte di scarico:

1.2 kV

Vgs - tensione della sorgente di porta:

- 8 V, + 19 V

Vgs th - tensione di soglia della porta-sorgente:

1.8 V

Peso unitario:

6 g

 

Caratteristiche di C3M0016120D

  • Tecnologia MOSFET a carburo di silicio (SiC) C3MTM

  • Alta tensione di blocco con bassa resistenza di accensione

  • Commutazione ad alta velocità con basse capacità

  • Diodo intrinseco veloce con basso recupero inverso (Qrr)

  • Libero da alogeni, conforme alla RoHS

 

Benefici di C3M0016120D

  • Maggiore efficienza del sistema

  • Riduzione dei requisiti di raffreddamento

  • Maggiore densità di potenza

  • Maggiore frequenza di commutazione del sistema

 

Applicazioni di C3M0016120D

  • Energia rinnovabile

  • Convertitori DC/DC ad alta tensione

  • Forniture di alimentazione in modalità interruttore

  • UPS

 

Altri tipi di prodotti di fornitura

Numero della parte

Pacco

MAX77857AEWQ

35-WFBGA

MAX77857CEFE

35-WFBGA

MAX31331TETB

TQFN-10

MAX22256AATB

10-TDFN

MAX22256BATB

10-TDFN

MAX22256CATB

10-TDFN

MAX98361AEWL

9-WLP

MAX22420FASA

8-SOIC

MAX98365AEWC

12-WLP

MAX22514ATG

24-TQFN

MAX22514AWA

25-WLP

MAX9295AGTJ/V

QFN32

MAX96712GTB/V

VQFN64

MAX96706GTJ/V

32-WFQFN

MAX9295AGTJ/VY

QFN32

MAX9275GTN/V

56-WFQFN

MAX96717FGTJ/V

32-WFQFN

MAX96714RGTJ/VY

32-WFQFN

MAX9286GTN

56-WFQFN

MAX9205EAI/V

28-SSOP

MAX96701GTG/V

TQFN24

MAX96705AGTJ/V

TQFN-32

MAX96700GTJ/V

TQFN-32

MAX96705GTJ/V

TQFN-32

MAX9282AGTM/V

TQFN48

MAX96755FGTN/V

TQFN56

MAX96714GTJ/VY

TQFN-32

MAX96708GTJ/V

TQFN-32

MAX96707GTG

TQFN24

MAX9278AGTM/VY

TQFN48

 

 

Domande frequenti

D: I vostri prodotti sono originali?

A: Sì, tutti i prodotti sono originali, nuova importazione originale è il nostro scopo.

D: Quali certificati ha?

R: Siamo una società certificata ISO 9001:2015 e membro di ERAI.

D: Puoi supportare ordini o campioni in piccole quantità?Il campione è gratuito?

A: Sì, sosteniamo l'ordine di campione e piccolo ordine. Il costo del campione è diverso a seconda del tuo ordine o progetto.

D: Come spedisco il mio ordine?

R: Usiamo l'espresso per spedire, come DHL,Fedex,UPS,TNT,EMS. Possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito.I prodotti saranno in buona confezione e garantire la sicurezza e siamo responsabili per i danni prodotti al vostro ordine.

D: Che mi dici del tempo di consegna?

R: Possiamo spedire le parti in magazzino entro 5 giorni lavorativi. Se senza magazzino, confermeremo il tempo di consegna in base alla quantità dell'ordine.

Prodotto Tag:

Chip 24-PQFN del circuito integrato,

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Chip integrati QFN24

Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

Invia la tua richiesta direttamente a noi (0 / 3000)

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