LTC4449IDCB chip di circuito integrato a alta velocità driver di cancello MOSFET a canale N sincrono

LTC4449IDCB chip di circuito integrato a alta velocità driver di gate MOSFET a canale N sincrono

Descrizione del prodotto LTC4449IDCB

LTC4449IDCB è un driver di cancello ad alta frequenza progettato per azionare due MOSFET N-Channel in un convertitore DC/DC sincrono.La potente capacità del driver rail-to-rail riduce le perdite di commutazione nei MOSFET con elevata capacità del cancello.

LTC4449IDCB dispone di un alimentatore separato per la logica di ingresso per corrispondere all'oscillazione del segnale del circuito integrato del controller.LTC4449 attiva una modalità di spegnimento che spegne entrambi i MOSFET esterniIl segnale logico di ingresso è spostato internamente verso l'alimentazione bootstrapped, che funziona fino a 42V sopra il suolo.

Specifica di LTC4449IDCB

Caratteristiche del LTC4449IDCB

Tensione di funzionamento VCC da 4V a 6,5V
38V tensione massima di alimentazione di ingresso
Protezione adattabile da sparo
I driver di output ferroviario-ferroviario
3.2A Corrente di trazione massima
4.5A Corrente di trazione di picco
8ns TG Rise Tempo di guida 3000pF carico
7ns TG Tempo di caduta Guida 3000pF Carico
Fornitura separata per abbinare il regolatore PWM
Dispositivi per MOSFET a doppio canale N
Blocco sotto tensione
Profil basso (0,75 mm) 2 mm × 3 mm Pacchetto DFN

Applicazioni di LTC4449IDCB

Architetture di potenza distribuita
Moduli di potenza ad alta densità

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Domande frequenti
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