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A2T27S020GNR1 Chip di circuito integrato N-Channel Enhancement Mode Potenza RF Transistor LDMOS

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Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

—— Luis dagli Stati Uniti

Alta qualità e prestazioni affidabili: "I componenti elettronici che abbiamo ricevuto da [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] sono di alta qualità e hanno dimostrato prestazioni affidabili nei nostri dispositivi".

—— Richardg Dalla Germania

Prezzi competitivi: i prezzi offerti da è molto competitivo, rendendolo una scelta eccellente per le nostre esigenze di approvvigionamento.

—— Tim dalla Malesia

Il servizio clienti è eccellente, sempre disponibile e disponibile, garantendo che le nostre esigenze siano soddisfatte prontamente.

—— Vincent dalla Russia

Grandi prezzi, consegna veloce e servizio clienti di prim'ordine.

—— Nishikawa dal Giappone

Componenti affidabili, spedizione veloce e supporto eccellente.

—— Sam dagli Stati Uniti

Ricomando vivamente ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd per qualsiasi progetto di elettronica!

—— Lina dalla Germania

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A2T27S020GNR1 Chip di circuito integrato N-Channel Enhancement Mode Potenza RF Transistor LDMOS

A2T27S020GNR1 Chip di circuito integrato N-Channel Enhancement Mode Potenza RF Transistor LDMOS
A2T27S020GNR1 Integrated Circuit Chip N-Channel Enhancement Mode RF Power LDMOS Transistors
A2T27S020GNR1 Chip di circuito integrato N-Channel Enhancement Mode Potenza RF Transistor LDMOS A2T27S020GNR1 Chip di circuito integrato N-Channel Enhancement Mode Potenza RF Transistor LDMOS

Grande immagine :  A2T27S020GNR1 Chip di circuito integrato N-Channel Enhancement Mode Potenza RF Transistor LDMOS

Dettagli:
Luogo di origine: Cn
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: A2T27S020GNR1
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: TO-270G-2
Tempi di consegna: 5-8 giorni lavorativi
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union
Contatto

A2T27S020GNR1 Chip di circuito integrato N-Channel Enhancement Mode Potenza RF Transistor LDMOS

Descrizione
Numero della parte: A2T27S020GNR1 Vds - Tensione di rottura drain-source:: 65 V
Frequenza operativa:: 400 MHz a 2,7 GHz Guadagno:: 21.1 dB
Potenza di uscita:: 2,5 W Peso specifico:: 548 mg

A2T27S020GNR1 Chip di circuito integrato N-Channel Enhancement Mode Potenza RF Transistor LDMOS

 

Descrizione del prodotto di A2T27S020GNR1
A2T27S020GNR1 è una potenza RF di 2,5 W. I transistor LDMOS sono progettati per applicazioni di stazioni base cellulari che coprono la gamma di frequenze da 400 a 2700 MHz.

 

Le specifiche di A2T27S020GNR1

Canale N

- Sì.

65 V

400 MHz a 2,7 GHz

21.1 dB

2.5 W

- 40 C.

+ 150 C

Numero di canali:

1 canale

Vgs - tensione della sorgente di porta:

+ 10 V

Vgs th - tensione di soglia della porta-sorgente:

1.6 V

Peso unitario:

548 mg

 

Caratteristiche di A2T27S020GNR1
Maggiore intervallo di tensione negativa tra la porta e la sorgente per un migliore funzionamento di classe C
con una lunghezza massima di 20 mm o più
driver universale a banda larga
RoHS conforme

 

Altri componenti elettronici in magazzino

Numero della parte

Pacco

4DIR2400HAXUMA1

PG-DSO-16

CY15V116QSN-108BKXI

FBGA-24

4DIR0400HAXUMA1

PG-DSO-16

S70KL1282DPBHV023

24-FBGA

S70KL1282GABHV023

24-FBGA

S70KL1282DPBHB020

24-FBGA

S70KL1282DPBHB023

24-FBGA

S70KS1282GABHB020

24-FBGA

S70KS1282GABHA020

24-FBGA

S70KS1282GABHI020

24-FBGA

S70KL1282DPBHA020

24-FBGA

RV1S9231ACCSP-10YV#SC0

5-LSSO

RV1S9353ACCSP-120V#SC0

8-SMD

ISSI30R11HXUMA1

PG-DSO-16

4DIR0401HAXUMA1

PG-DSO-16

4DIR1400HAXUMA1

PG-DSO-16

4DIR1421HAXUMA1

PG-DSO-16

4DIR1420HAXUMA1

PG-DSO-16

STM32H7R7L8H6H

TFBGA-225

STM32H7R7Z8J6

UFBGA-144

STM32H7S7I8K6

UFBGA-201

STM32H7S7I8T6

LQFP-176

STM32H7S7L8H6

TFBGA-225

STM32H7S7L8H6H

TFBGA-225

STM32H7S7Z8J6

UFBGA-144

STM32H7S3A8I6

UFBGA-169

STM32H7S3I8K6

UFBGA-201

STM32H7S3I8T6

LQFP-176

STM32H7S3L8H6

TFBGA-225

STM32H7S3L8H6H

TFBGA-225


Domande frequenti
D. I vostri prodotti sono originali?
A: Sì, tutti i prodotti sono originali, nuova importazione originale è il nostro scopo.
D: Quali certificati ha?
R: Siamo una società certificata ISO 9001:2015 e membro di ERAI.
D: Puoi supportare ordini o campioni in piccole quantità?Il campione è gratuito?
A: Sì, sosteniamo l'ordine di campione e piccolo ordine. Il costo del campione è diverso a seconda del tuo ordine o progetto.
D: Come spedisco il mio ordine?
R: Usiamo l'espresso per spedire, come DHL,Fedex,UPS,TNT,EMS. Possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito.I prodotti saranno in buona confezione e garantire la sicurezza e siamo responsabili per i danni prodotti al vostro ordine.
D: Che mi dici del tempo di consegna?
R: Possiamo spedire le parti in magazzino entro 5 giorni lavorativi. Se senza magazzino, confermeremo il tempo di consegna in base alla quantità dell'ordine.

Prodotto Tag:

Chip 24-PQFN del circuito integrato,

Lineare a doppio canale di TUSB1002ARGER,

Chip integrati QFN24

Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

Invia la tua richiesta direttamente a noi (0 / 3000)

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