MT54A16G8080A00AC-32:Chip IC di memoria 128Gbit 8 canali Memoria DRAM ad alta larghezza di banda con ECC

MT54A16G8080A00AC-32:Chip IC di memoria 128Gbit 8 canali Memoria DRAM ad alta larghezza di banda con ECC

Descrizione del prodotto MT54A16G8080A00AC-32:A
MT54A16G8080A00AC-32:La DRAM HBM è ottimizzata per l'utilizzo di banda larga su una pila di dispositivi DRAM multipli attraverso un numero di interfacce (canali) indipendenti.Si prevede che ogni DRAM supporterà fino a 8 canali.

Le caratteristiche di MT54A16G8080A00AC-32:A
VDDC = VDDQ = 1,2V ± 5%
VPP = 2,5V 5%/+10%
Data rate: 2,8 Gb/s e 3,2 Gb/s
Larghezza di banda massima: 358 GB/s e 410 GB/s
Supporto ECC: 9 bit di memoria per byte
8 canali indipendenti con modalità pseudo canale
Dati DDR (WDQS, RDQS)
Lattanza di lettura programmabile (RL)
Programmabile WRITE latency (WL)
Programmabile latenza di parità (PL)
Lunghezza di scoppio = 4
Scrivere la funzione di maschera di dati con granularità a singolo byte
Inversione del bus dati (DBIac) per le scritture e le letture
Parità per comando/indirizzo e monitoraggio dei dati
Opzione di precarica automatica per ogni accesso di scarica
Modalità di aggiornamento automatico (32 ms, 8k cicli) con opzione di aggiornamento in banca singola
Tasso di aggiornamento automatico controllato dal sensore di temperatura
blocco tRAS
Forza del driver di uscita programmabile
Interfacce di orologio, comando, indirizzo e dati minate
Sensore di temperatura con lettura
Interfaccia di prova seriale standard IEEE 1500

Applicazioni di MT54A16G8080A00AC-32:A
Automotive

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Domande frequenti
D. I vostri prodotti sono originali?
A: Sì, tutti i prodotti sono originali, nuova importazione originale è il nostro scopo.
D: Quali certificati ha?
R: Siamo una società certificata ISO 9001:2015 e membro di ERAI.
D: Puoi supportare ordini o campioni in piccole quantità?Il campione è gratuito?
A: Sì, sosteniamo l'ordine di campione e piccolo ordine. Il costo del campione è diverso a seconda del tuo ordine o progetto.
D: Come spedisco il mio ordine?
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