Transistor MOSFET in Carburo di Silicio IMT65R057M1H 650V 57 mΩ in Package TOLL per Alta Densità di Potenza

IMT65R057M1H CoolSICTM MOSFET 650 V, 57 mΩ in pacchetto TOLL sfrutta i punti di forza della tecnologia Infineon SiC per consentire progetti a maggiore densità e operazioni a frequenza di commutazione più elevata.Il piccolo fattore di forma e il basso parassita di TOLL consentono un uso efficiente ed efficace dello spazio della scheda e di guidare il MOSFET a frequenze più elevate, raggiungendo una maggiore densità di potenza.

CoolSICTM MOSFET 650 V, 57 mΩ nell'offerta del pacchetto TOLL è completato dalla disponibilità di TOLL anche per CoolMOSTM e CoolGaNTM, rendendolo un'opzione attraente per vari sistemi.La riduzione dell'impedenza termica rispetto a D2PAK, insieme all'innovativa interconnessione.XT, rendono il prodotto da 57 mΩ adatto a sistemi ad alta e media potenza, con obiettivi di efficienza elevati.

Si adatta idealmente alla topologia PFC Totem Pole emergente nei sistemi ad alta e media potenza.È anche usato con successo in topologie interleaved per affrontare obiettivi di alta efficienza in sistemi ad alta potenza.