TC58NYG2S0HBAI4 Chip IC di memoria 4Gbit NAND Flash Memory IC TFBGA63

TC58NYG2S0HBAI4 Memory IC Chip 4Gbit NAND Flash Memory IC TFBGA63

Informazioni generali sul prodotto di TC58NYG2S0HBAI4

TC58NYG2S0HBAI4 è un singolo 1.8V 4 Gbit (4,563,402,752 bit) NAND Memoria elettricamente cancellabile e programmabile di sola lettura (NAND E2PROM) organizzata come (4096 + 256) byte 64 pagine 2048 blocchi.

TC58NYG2S0HBAI4 ha due registri statici da 4352 byte che consentono il trasferimento di dati di programma e lettura tra il registro e la matrice di celle di memoria in incrementi di 4352 byte.L'operazione di cancellazione è implementata in un'unica unità di blocco (256 Kbytes + 16 Kbytes): 4352 byte x 64 pagine).

Specifica del TC58NYG2S0HBAI4

Caratteristiche del TC58NYG2S0HBAI4

Organizzazione x8
Matrice di celle di memoria: 4352 x 128K x 8
Registro: 4352 x 8
Dimensione della pagina: 4352 byte
Dimensione del blocco: (256K x 16K) byte
Fornitura di alimentazione - VCC: da 1,7 a 1,95 V
Per ogni 512 byte è richiesto un ECC di 8 bit.

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Domande frequenti
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