IPM018N10NM5LF2 chip di circuito integrato OptiMOS 5 lineare FET 100V N-Channel Transistor con Low RDS ((on) e Wide SOA

IPM018N10 è il transistor a effetto campo lineare (FET) OptiMOSTM 5 migliore della sua classe in un pacchetto 8x8 mTOLG con potenza nominale di 2 × 100 V, offrendo il più basso RDS ((on) del settore e un ampio SOA a 25 ̊C.Questo è un pacchetto certificato JEDEC, compatibile con altri MOSFET a ala di gabbiano di 8×8 mm2, in particolare il tipo LFPAK88.La combinazione della tecnologia OptiMOSTM 5 Linear FET 2 e del pacchetto mTOLG è progettata per fornire la più alta densità di potenza per le applicazioni di protezione da sovraccarico, come lo scambio a caldo, i fusibili elettronici e la protezione delle batterie nei sistemi di gestione delle batterie (BMS).

• Ideale per applicazioni di scambio a caldo e fusibili elettronici
• RDS (on) con resistenza di accensione molto bassa
• Ampia area di funzionamento sicura SOA
• Basso spread di Vgs (th)
• Miglioramento della condivisione dei flussi
• N-canale, livello normale
• 100% test di valanghe
• Placcaggio in piombo privo di Pb; conforme alla RoHS
• Non contenente alogeni secondo la norma IEC 61249-2-21.

• Soluzioni di alimentazione dei server
• Infrastrutture di telecomunicazione
• Sistema di gestione delle batterie (BMS)