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STW48NM60N Circuito Integrato Chip 600V MDmesh II MOSFET di potenza a canale N

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Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

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STW48NM60N Circuito Integrato Chip 600V MDmesh II MOSFET di potenza a canale N

STW48NM60N Circuito Integrato Chip 600V MDmesh II MOSFET di potenza a canale N
STW48NM60N Circuito Integrato Chip 600V MDmesh II MOSFET di potenza a canale N

Grande immagine :  STW48NM60N Circuito Integrato Chip 600V MDmesh II MOSFET di potenza a canale N

Dettagli:
Luogo di origine: Cn
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: STW48NM60N
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: TO-247-3
Tempi di consegna: 5-8 giorni di lavoro
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union
Contatto

STW48NM60N Circuito Integrato Chip 600V MDmesh II MOSFET di potenza a canale N

Descrizione
Numero parte: STW48NM60N Polarità del transistor: Canale N
Vds - tensione di ripartizione di Scolo-fonte: 600 V Identificazione - corrente continua dello scolo: 39 A
Resistenza su di Scolo-fonte di RDS: 70 mOhms Pd - Dissipazione di potenza: 255 W

STW48NM60N chip di circuito integrato 600V MDmesh II N-Channel Power MOSFET Transistors

 

Descrizione del prodotto STW48NM60N

STW48NM60N è un Power MOSFET a canale N sviluppato utilizzando la seconda generazione della tecnologia MDmeshTM.Questo rivoluzionario Power MOSFET associa una struttura verticale al layout della striscia dell'azienda per produrre una delle più basse resistenza al mondo e carica di cancelloÈ quindi adatto ai convertitori ad alta efficienza più esigenti.

 

Specifica dello STW48NM60N

Serie
MDmeshTM II
Tipo di FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido metallico)
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss)
600 V
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C
44A (Tc)
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
70 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs
124 nC @ 10 V
Vgs (Max)
± 25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
4285 pF @ 50 V
Dissipazione di potenza (Max)
330W (Tc)
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Attraverso il buco
Confezione del dispositivo del fornitore
TO-247-3
Confezione / Cassa
TO-247-3

 

Caratteristiche dello STW48NM60N

100% test di valanghe
Capacità di ingresso bassa e carica del cancello
Bassa resistenza all'ingresso del cancello

 

Applicazioni di STW48NM60N

Scambio di applicazioni


Altri componenti elettronici in magazzino

Numero della parte Pacco
NL17SZ08XV5T2GH SOT-553
NC7SZU04AM5X SOT-23-5
NDSH20120CDN TO-247-3
NDSH30120C-F155 TO-247-2
NTMFS3D0N08XT1G 5-DFN
NC7SZU04AP5X SC-88A-5
PCGA3040G2F SIP-6
NCP51313ADR2G 8-SOIC
NVXR22S90M2SPM Modulo
NCP45496XMNWTWG 20-QFN
NVH820S75L4SPM Modulo
NCP45732IMN24TWG 10-DFN
NDSH30120CDN TO-247-3
NDSH40120C-F155 TO-247-2
NL17SZU04ADFT2G SC-88A
NL27WZU04ADBVT1G SC-74
NTMFS0D7N04XMT1G 5-DFN
NVBG1000N170M1 D2PAK-7
LX34311T-H/ST SSOP-14
PIC12LF1552T-E/MU UDFN-8
RN171-I/RM441 Modulo
ATMEGAS64M1-MA-HP 32-TQFP
ATSAMV71Q21B-CBVAO LQFP144
MLX90394RLD-AAA-000-SP 6-UTQFN
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MLX90418KLD-AAA-004-RE TO-39
MLX92241LUA-BAA-119-CA TO-92-3
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MLX90830LXG-BAF-002-RE SOIC16
MLX91231KDC-BBA-000-RE 8-SOIC


Domande frequenti
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A: Sì, tutti i prodotti sono originali, nuova importazione originale è il nostro scopo.
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R: Siamo una società certificata ISO 9001:2015 e membro di ERAI.
D:Puoi supportare ordini o campioni in piccole quantità?Il campione è gratuito?
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Prodotto Tag:

Chip 24-PQFN del circuito integrato,

Lineare a doppio canale di TUSB1002ARGER,

Chip integrati QFN24

Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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