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Transistor MOSFET di potenza HiPerFET TM di classe X con potenza di amplificazione N-Channel del chip di circuito integrato IXFP14N85XM

Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
Rassegne del cliente
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Transistor MOSFET di potenza HiPerFET TM di classe X con potenza di amplificazione N-Channel del chip di circuito integrato IXFP14N85XM

Transistor MOSFET di potenza HiPerFET TM di classe X con potenza di amplificazione N-Channel del chip di circuito integrato IXFP14N85XM
Transistor MOSFET di potenza HiPerFET TM di classe X con potenza di amplificazione N-Channel del chip di circuito integrato IXFP14N85XM

Grande immagine :  Transistor MOSFET di potenza HiPerFET TM di classe X con potenza di amplificazione N-Channel del chip di circuito integrato IXFP14N85XM

Dettagli:
Luogo di origine: Cn
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: IXFP14N85XM
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: TO-220-3
Tempi di consegna: 3-5 giorni di lavoro
Termini di pagamento: T/t
Capacità di alimentazione: 10000 pezzi al giorno

Transistor MOSFET di potenza HiPerFET TM di classe X con potenza di amplificazione N-Channel del chip di circuito integrato IXFP14N85XM

Descrizione
Numero parte: IXFP14N85XM Vds - Tensione di rottura drain-source:: 850 V
Id - Corrente di scarico continua:: 14 A Rds On - Resistenza Drain-Source:: 550 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:: - 30 V, + 30 V Vgs th - Tensione di soglia gate-source:: 3,5 V
Evidenziare:

Transistor MOSFET di potenza a canale N

,

Circuito integrato HiPerFET di classe X

,

MOSFET in modalità di potenziamento

IXFP14N85XM Chip a circuito integrato Transistor MOSFET di potenza HiPerFET™ a canale N di classe X per miglioramento
Attributi del prodotto
Attributo Valore
Codice articolo IXFP14N85XM
Vds - Tensione di rottura drain-source 850 V
Id - Corrente di drain continua 14 A
Rds On - Resistenza drain-source 550 mOhm
Vgs - Tensione gate-source - 30 V, + 30 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source 3.5 V
Descrizione del prodotto

IXFP14N85XM sono transistor MOSFET di potenza HiPerFET™ a canale N di classe X per miglioramento.

Specifiche
Parametro Valore
Tipo FET Canale N
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain-source (Vdss) 850 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25°C 14A (Tc)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) a Id, Vgs 550mOhm a 7A, 10V
Vgs(th) (Max) a Id 5.5V a 1mA
Carica gate (Qg) (Max) a Vgs 30 nC a 10 V
Vgs (Max) ±30V
Capacitanza di ingresso (Ciss) (Max) a Vds 1043 pF a 25 V
Dissipazione di potenza (Max) 38W (Tc)
Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Caratteristiche
  • Pacchetto standard internazionale
  • Tab con sovrastampaggio in plastica
  • Basso RDS(ON) e QG
  • Valutato per valanga
  • Isolamento elettrico 2500V~
  • Bassa induttanza del pacchetto
Vantaggi
  • Elevata densità di potenza
  • Facile da montare
  • Risparmio di spazio
Applicazioni
  • Alimentatori a commutazione e a risonanza
  • Convertitori CC-CC
  • Circuiti PFC
  • Azionamenti per motori CA e CC
  • Robotica e servocomandi
Altri tipi di prodotti di alimentazione
Codice articolo Pacchetto
NCV57256DR2G 16-SOIC
HDC3020DEFR 8-VFDFN
DRV5055A4QDBZR SOT-23-3
DRV5032DUDMRR 4-XFDFN
TMP451JQDQFRQ1 8-WFDFN
TMAG5111B2AQDBVRQ1 SOT-23-5
AMC6821SQDBQRQ1 16-SSOP
MSP430FR2676TRHAR 40-VQFN
TPS16416DRCR 10-VFDFN
TPS16414DRCR 10-VFDFN
TPS16417DRCR 10-VFDFN
TPS259813LRPWR VQFN-10
TPS25972ARPWR 10-VFQFN
TPS25961DRVR 6-WDFN
TPS25970LRPWR 10-VFQFN
TPS259802ONRGER 24-VFQFN
TPS259803ONRGER 24-VFQFN
TPS26622DRCR 10-VFDFN
TPS26625DRCR 10-VFDFN
TPS26400RHFR 24-VFQFN
TPS259474LRPWR 10-VFQFN
TPS259461ARPWR 10-VFQFN
TPS25974ARPWR 10-VFQFN
TPS259474ARPWR 10-VFQFN
TPS16530PWPR 20-HTSSOP
TPS259807ONRGER 24-VQFN
TPS259472LRPWR 10-VFQFN
TPS26632RGER 24-VFQFN
TPS259822LNRGER 24-VFQFN
TPS259822ONRGER 24-VFQFN
FAQ
D: I vostri prodotti sono originali?
R: Sì, tutti i prodotti sono originali, la nuova importazione originale è il nostro scopo.
D: Quali certificati avete?
R: Siamo un'azienda certificata ISO 9001:2015 e membri di ERAI.
D: Potete supportare ordini di piccole quantità o campioni? Il campione è gratuito?
R: Sì, supportiamo ordini di campioni e piccoli ordini. Il costo del campione è diverso a seconda dell'ordine o del progetto.
D: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
R: Utilizziamo l'espresso per la spedizione, come DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Possiamo anche utilizzare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno ben imballati e garantiranno la sicurezza e siamo responsabili per i danni ai prodotti al vostro ordine.
D: E i tempi di consegna?
R: Possiamo spedire i pezzi a magazzino entro 5 giorni lavorativi. Se non ci sono scorte, confermeremo i tempi di consegna per te in base alla quantità del tuo ordine.

Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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