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Dettagli:
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| Numero parte: | IXFH150N17T2 | Polarità del transistor:: | N-channel |
|---|---|---|---|
| Vds - Tensione di rottura drain-source:: | 175 V | Id - Corrente di scarico continua:: | 150 A |
| Rds On - Resistenza Drain-Source:: | 12 mOhms | Vgs - Tensione gate-source:: | - 30 V, + 30 V |
| Evidenziare: | MOSFET di potenza a canale N 175V,150A Transistor MOSFET di potenziamento,chip a circuito integrato con garanzia |
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IXFH150N17T2 sono transistor MOSFET di potenza di potenza di potenza di potenza di potenza di N-Channel da 175V a 150A.
| Tipo di FET | Canale N |
|---|---|
| Tecnologia | MOSFET (ossido metallico) |
| Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss) | 175 V |
| Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C | 150A (Tc) |
| Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 75A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
| Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs | 233 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ± 20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 14600 pF @ 25 V |
| Dissipazione di potenza (Max) | 880W (Tc) |
| Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Numero della parte | Pacco |
|---|---|
| TSL6202IST | 8-MiniSO |
| LM2902YQ5T | 16-QFN |
| LM2904BYDT | 8-SOIC |
| LM2903BYPT | 8-TSSOP |
| LM2904YQ6T | 8-DFN |
| LM2903WST | 8-MiniSO |
| TSB182IDT | 8-SOIC |
| TSB182IYDT | 8-SOIC |
| TSB624IDT | 14-SOIC |
| TSB624IYDT | 14-SOIC |
| FDA903S-6DT | 32-VFQFPN |
| FDA803S-6DT | 32-VFQFPN |
| LM2904HYPT | 8-TSSOP |
| TSV794IYPT | 14-TSSOP |
| TSV774IPT | 14-TSSOP |
| TSV794IPT | 14-TSSOP |
| TSL6001ICT | SC-70-5 |
| TSL6004IPT | 14-TSSOP |
| TSV774IYPT | 14-TSSOP |
| TSL6001ILT | SOT-23-5 |
| TSU111RILT | SOT-23-5 |
| LAN8670C1-E/LMX | 32-VFQFN |
| LAN8672C1-E/LNX | VQFN-36 |
| LAN8671C1-E/U3B | VQFN-24 |
| LAN9360C-I/CQB-101 | TFBGA-100 |
| LAN9662-I/9MX | LFBGA-256 |
| KSZ8765CLXIC | LQFP-80 |
| LAN7430-I/Y9X | VFQFN-48 |
| KSZ9563RNXI | QFN-64 |
| LAN9662/9MX | LFBGA-256 |
Persona di contatto: Sales Manager
Telefono: 86-13410018555
Fax: 86-0755-83957753