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Dettagli:
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| Numero parte: | IXFH150N20T | Polarità del transistor:: | N-channel |
|---|---|---|---|
| Vds - Tensione di rottura drain-source:: | 200 V | Id - Corrente di scarico continua:: | 150 A |
| Rds On - Resistenza Drain-Source:: | 15 mOhms | Vgs - Tensione gate-source:: | - 20 V, + 20 V |
| Evidenziare: | Transistor MOSFET a canale n 200V,Chip MOSFET di potenza 150A,transistor di potenza in modalità di potenziamento |
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| Tipo FET | N-channel |
|---|---|
| Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) |
| Drana su Tensione di origine (VDSS) | 200 v |
| Corrente - drenaggio continuo (ID) @ 25 ° C | 150a (TC) |
| Tensione di azionamento (max rds on, min rds on) | 10v |
| RDS su (max) @ id, vgs | 15mohm @ 75a, 10V |
| Vgs (th) (max) @ id | 5V @ 4Ma |
| Gate Charge (QG) (Max) @ VGS | 177 NC @ 10 V |
| VGS (max) | ± 20 V. |
| Capacità di input (CISS) (max) @ VDS | 11700 pf @ 25 v |
| Dissipazione di potenza (max) | 890W (TC) |
| Temperatura operativa | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
| Numero parte | Pacchetto |
|---|---|
| KSZ9893RNXC | VQFN-64 |
| KSZ9897RTXC | TQFP-128 |
| KSZ8567RTXI | TQFP-128 |
| ISL81806frtz | TQFN-32 |
| ISL81805frtz | TQFN-32 |
| ISL81801frtz | TQFN-32 |
| Isl62776irtz | TQFN-40 |
| RAA228228GNP | QFN-68 |
| RAA2231814GSP | 13-Soic |
| Isl81601frz | QFN-32 |
| R9A06G032NGBG | LFBGA-400 |
| R9A06G032VGBA | LFBGA-324 |
| R7S910007CBA | FBGA-320 |
| R7S910026CBA | FBGA-320 |
| R7S910027CBA | FBGA-320 |
| R7S910025CBA | FBGA-320 |
| R7S910036CBA | FBGA-320 |
| R7S910028CBA | FBGA-320 |
| R7S910015CBA | FBGA-320 |
| R7S910016CBA | FBGA-320 |
| R7S910018CBA | FBGA-320 |
| R7S910017CBA | FBGA-320 |
| MCP47CVB02-E/UN | 10-msop |
| MCP47CMB22-E/UN | 10-msop |
| MCP47CMB12-E/UN | 10-msop |
| MCP47CVB21-E/MF | 10-dfn |
| MCP47CVB28-20E/ST | 20-TSSOP |
| MCP48CVB18-20E/ST | 20-TSSOP |
| MCP47CVB11-E/Mg | 16-qfn |
| MCP47CVB01-E/mg | 16-qfn |
Persona di contatto: Sales Manager
Telefono: 86-13410018555
Fax: 86-0755-83957753