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Dettagli:
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| Numero parte: | IPA60R400CE | Polarità del transistor:: | N-channel |
|---|---|---|---|
| Numero dei canali:: | 1 canale | Vds - Tensione di rottura drain-source:: | 600 v |
| Id - Corrente di scarico continua:: | 14.7 A | Rds On - Resistenza Drain-Source:: | 890 mOhms |
| Evidenziare: | Transistor MOSFET a potenza di 600 V,10.3A Chip di circuito integrato,MOSFET di N-Manica |
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L'IPA60R400CE è un transistor MOSFET di potenza N-Channel 600V 10.3A ad alte prestazioni progettato per applicazioni di potenza esigenti.
| Parametro | Valore |
|---|---|
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain-Source (Vdss) | 600 V |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25°C | 10.3A (Tc) |
| Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 3.8A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 300µA |
| Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 700 pF @ 100 V |
| Dissipazione di potenza (Max) | 31W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Stadi PFC, stadi PWM a commutazione dura e stadi a commutazione risonante per:
| Codice articolo | Pacchetto |
|---|---|
| MMRF2010GNR1 | TO-270-14 |
| TEF6635HW | 100-TQFP |
| TEF6694AHN | HVQFN32 |
| TEF6687AHN | HVQFN32 |
| AFLP5G25641T6 | 17-LFLGA |
| 88W8801-B0-NMD2I000 | HVQFN48 |
| CLRC66103HNY | 32-VFQFN |
| PCF7952LTT | 24-TSSOP |
| MF1SEP1031DA8 | MOA-8 |
| NT2H1511G0DUDV | SMD |
| CLRC66103HNE | 32-VFQFN |
| 88Q9098RA1-NYI2A0R1 | HVQFN148 |
| MKW35A512VFT4 | HVQFN48 |
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