RBN75H65T1FPQ-A0 Chip a circuito integrato 650V 75A Transistor IGBT Trench TO-247-3

RBN75H65T1FPQ-A0 Chip di circuito integrato 650V 75A Trench IGBT Transistor TO-247-3

Descrizione del prodotto RBN75H65T1FPQ-A0

RBN75H65T1FPQ-A0 è 650V, 75A Trench Transistor bipolare a porta isolata (IGBT) offre una bassa tensione di saturazione da collettore a emittente, diodo di recupero rapido (FRD) incorporato,e può essere utilizzato per applicazioni di commutazione di potenzaÈ disponibile in una confezione TO-247A.

Specificità di RBN75H65T1FPQ-A0

Caratteristiche di RBN75H65T1FPQ-A0

Tecnologia di porta di trincea e wafer sottili (serie G8H)
Diodo di recupero rapido integrato in un unico pacchetto
Tensione di saturazione bassa dal collettore all'emettitore VCE ((sat) = 1,5V tip. (a IC = 75A, VGE = 15V, Ta = 25 °C)
Grado di qualità: Standard
Commutazione ad alta velocità
Non specifica per cortocircuito

Applicazioni di RBN75H65T1FPQ-A0

UPS
Saldatura
Invertitori fotovoltaici
Sistemi di conversione di potenza

Altri componenti elettronici in magazzino

Domande frequenti
D. I vostri prodotti sono originali?
A: Sì, tutti i prodotti sono originali, nuova importazione originale è il nostro scopo.
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R: Siamo una società certificata ISO 9001:2015 e membro di ERAI.
D: Puoi supportare ordini o campioni in piccole quantità?Il campione è gratuito?
A: Sì, sosteniamo l'ordine di campione e piccolo ordine. Il costo del campione è diverso a seconda del tuo ordine o progetto.
D: Come spedisco il mio ordine?
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