GT30J122 Circuito integrato Chip IGBT discreti 600V Transistor IGBT a canale N in silicio

GT30J122 Circuito Integrato Chip Discrete IGBTs 600V Transistor IGBT al silicio a canale N​

Descrizione del prodotto di GT30J122

GT30J122 è Discrete IGBTs——Transistor IGBT al silicio a canale N.

Specifiche di GT30J122

Caratteristiche di GT30J122

4a generazione
Modalità di miglioramento
Commutazione ad alta velocità: tf = 0,20 µs (tip.) (IC = 50 A)
Tensione di saturazione bassa: VCE(sat) = 1,7 V (tip.) (IC = 50 A)

Applicazioni di GT30J122

Dedicato alle applicazioni di commutazione dell'inverter a risonanza di corrente
Dedicato alle applicazioni di correzione del fattore di potenza (PFC) a commutazione parziale

Altri componenti elettronici in stock 

FAQ
Q. I vostri prodotti sono originali?
A: Sì, tutti i prodotti sono originali, la nuova importazione originale è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
A: Siamo un'azienda certificata ISO 9001:2015 e membri di ERAI.
Q: Potete supportare un ordine di piccole quantità o un campione? Il campione è gratuito?
A: Sì, supportiamo l'ordine di campioni e piccoli ordini. Il costo del campione è diverso a seconda dell'ordine o del progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
A: Usiamo l'espresso per spedire, come DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in un buon imballaggio e garantiranno la sicurezza e siamo responsabili per i danni ai prodotti al vostro ordine.
Q: Che dire dei tempi di consegna?
A: Possiamo spedire i pezzi in stock entro 5 giorni lavorativi. Se non ci sono scorte, confermeremo i tempi di consegna per voi in base alla quantità del vostro ordine.