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IRF6894MTRPBF 25V HEXFET Power MOSFET Integrated Circuit Chip with 170A Continuous Drain Current and 1.7mOhms Drain-Source Resistance

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Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

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IRF6894MTRPBF 25V HEXFET Power MOSFET Integrated Circuit Chip with 170A Continuous Drain Current and 1.7mOhms Drain-Source Resistance

IRF6894MTRPBF 25V HEXFET Power MOSFET Integrated Circuit Chip with 170A Continuous Drain Current and 1.7mOhms Drain-Source Resistance
IRF6894MTRPBF 25V HEXFET Power MOSFET Integrated Circuit Chip with 170A Continuous Drain Current and 1.7mOhms Drain-Source Resistance IRF6894MTRPBF 25V HEXFET Power MOSFET Integrated Circuit Chip with 170A Continuous Drain Current and 1.7mOhms Drain-Source Resistance

Grande immagine :  IRF6894MTRPBF 25V HEXFET Power MOSFET Integrated Circuit Chip with 170A Continuous Drain Current and 1.7mOhms Drain-Source Resistance

Dettagli:
Luogo di origine: Cn
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: IRF6894MTRPBF
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: MXFET diretto
Tempi di consegna: 5-8 giorni di lavoro
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union
Contatto

IRF6894MTRPBF 25V HEXFET Power MOSFET Integrated Circuit Chip with 170A Continuous Drain Current and 1.7mOhms Drain-Source Resistance

Descrizione
Numero parte: IRF6894MTRPBF Vds - tensione di ripartizione di Scolo-fonte: 25 V
Identificazione - corrente continua dello scolo: 170 A Resistenza su di Scolo-fonte di RDS: 1.7 mOhms
Qg - tassa del portone: 29 n.C. PD - dissipazione di potenza: 54 W.
Evidenziare:

25V HEXFET Power MOSFET

,

170A Continuous Drain Current Integrated Circuit Chip

,

1.7mOhms Drain-Source Resistance Power MOSFET

IRF6894MTRPBF Integrated Circuit Chip 25V HEXFET Power MOSFET Plus Schottky Diode
Product Description
IRF6894MTRPBF is a 25V, Single N-Channel HEXFET Power MOSFET and Schottky Diode in a DirectFET MX package rated at 33 amperes with optimized low on-resistance. This product combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with advanced DirectFET™ packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a SO-8 and only 0.7 mm profile.
Specifications
Series HEXFET®
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 32A (Ta), 160A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) ±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4160 pF @ 13 V
FET Feature Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max) 2.1W (Ta), 54W (Tc)
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package DIRECTFET™ MX
Package / Case DirectFET™ Isometric MX
Features
  • RoHS Compliant Containing No Lead and Bromide
  • Integrated Monolithic Schottky Diode
  • Low Profile (<0.7 mm)
  • Dual Sided Cooling Compatible
  • Low Package Inductance
  • Optimized for High Frequency Switching
  • Ideal for CPU Core DC-DC Converters
  • Optimized for Sync. FET socket of Sync. Buck Converter
  • Low Conduction and Switching Losses
  • Compatible with existing Surface Mount Techniques
  • 100% Rg tested
  • Footprint compatible to DirectFET
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A: We can ship stock parts within 5 working days. If without stock, we will confirm lead time for you based on your order quantity.

Prodotto Tag:

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Dettagli di contatto
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Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

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