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STD18N60M6 600V 13A 280mOhm Power MOSFET N-Channel Transistor with MDmesh M6 Technology

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Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

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STD18N60M6 600V 13A 280mOhm Power MOSFET N-Channel Transistor with MDmesh M6 Technology

STD18N60M6 600V 13A 280mOhm Power MOSFET N-Channel Transistor with MDmesh M6 Technology
STD18N60M6 600V 13A 280mOhm Power MOSFET N-Channel Transistor with MDmesh M6 Technology

Grande immagine :  STD18N60M6 600V 13A 280mOhm Power MOSFET N-Channel Transistor with MDmesh M6 Technology

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: STD18N60M6
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: DPAK-3 (TO-252-3)
Tempi di consegna: 5-8 giorni lavorativi
Termini di pagamento: T/T,L/C,Western Union
Contatto

STD18N60M6 600V 13A 280mOhm Power MOSFET N-Channel Transistor with MDmesh M6 Technology

Descrizione
Numero di parte: STD18N60M6 Vds - tensione di ripartizione di Scolo-fonte: 600 v
Identificazione - corrente continua dello scolo: 13 A Resistenza su di Scolo-fonte di RDS: 280 mOhms
Qg - tassa del portone: 16,8 nC PD - dissipazione di potenza: 110 W
Evidenziare:

600V Power MOSFET

,

13A MOSFET Transistor

,

280mOhm N-Channel MOSFET

STD18N60M6 Integrated Circuit Chip 600V MDmesh M6 N-Channel Power MOSFET Transistors
Product Description
STD18N60M6 is a 600V, 13A, MDmesh™ M6 Series N-channel Power MOSFET Transistor in a DPAK package.
Specifications
Series MDmesh™ M6
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.75V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.8 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 650 pF @ 100 V
Power Dissipation (Max) 110W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package TO-252 (DPAK)
Package / Case TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Features
  • Reduced switching losses
  • Lower RDS(on) per area vs previous generation
  • Low gate input resistance
  • 100% avalanche tested
  • Zener-protected
Applications
  • Switching applications
  • LLC converters
  • Boost PFC converters
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PCA9482UKZ 42-UFBGA
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A: We can ship stock parts within 5 working days. If without stock, we will confirm lead time for you based on your order quantity.

Prodotto Tag:

Chip 24-PQFN del circuito integrato,

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Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

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