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FM24V10-GTR Memory IC Chip 3.4MHz 1Mbit Serial I2C F-RAM Memory IC 8-SOIC

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La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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Rassegne del cliente
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—— Nishikawa dal Giappone

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FM24V10-GTR Memory IC Chip 3.4MHz 1Mbit Serial I2C F-RAM Memory IC 8-SOIC

FM24V10-GTR Memory IC Chip 3.4MHz 1Mbit Serial I2C F-RAM Memory IC 8-SOIC
FM24V10-GTR Memory IC Chip 3.4MHz 1Mbit Serial I2C F-RAM Memory IC 8-SOIC

Grande immagine :  FM24V10-GTR Memory IC Chip 3.4MHz 1Mbit Serial I2C F-RAM Memory IC 8-SOIC

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: FM24V10-GTR
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: 8-Soic
Tempi di consegna: 3-5 giorni lavorativi
Termini di pagamento: T/T
Capacità di alimentazione: 10000 pezzi al giorno
Contatto

FM24V10-GTR Memory IC Chip 3.4MHz 1Mbit Serial I2C F-RAM Memory IC 8-SOIC

Descrizione
Numero di parte: FM24V10-GTR Dimensione della memoria:: 1 Mbit
Tipo di interfaccia:: I2c Frequenza massima dell'orologio:: 3.4 MHz
Organizzazione:: 128 k x 8 Tensione di alimentazione operativa:: 2 V - 3,6 V
Evidenziare:

FM24V10-GTR F-RAM memory IC

,

1Mbit I2C memory chip

,

3.4MHz serial memory IC

FM24V10-GTR Memory IC Chip 3.4MHz 1Mbit Serial I2C F-RAM Memory IC 8-SOIC
Product Description
The FM24V10-GTR is a 1-Mbit nonvolatile memory chip utilizing advanced ferroelectric technology. This F-RAM (Ferroelectric RAM) offers nonvolatile storage with RAM-like read/write performance. It ensures reliable data retention for 151 years while eliminating the complexities and reliability issues associated with EEPROM and other nonvolatile memory solutions.
Specifications
Memory Format FRAM
Technology FRAM (Ferroelectric RAM)
Memory Size 1Mbit
Memory Organization 128K x 8
Memory Interface I2C
Clock Frequency 3.4 MHz
Access Time 130 ns
Voltage - Supply 2V ~ 3.6V
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA)
Key Features
  • 1-Mbit ferroelectric random access memory (F-RAM) organized as 128K * 8
  • High endurance: 100 trillion (10¹⁴) read/write cycles
  • 151-year data retention
  • NoDelay™ writes for immediate data storage
  • Advanced high-reliability ferroelectric process
  • Fast two-wire Serial interface (I2C)
  • Supports frequencies up to 3.4 MHz
  • Direct hardware replacement for serial (I2C) EEPROM
  • Low power consumption: 175μA active current at 100 kHz
  • Standby current: 90μA (typical)
  • Sleep mode current: 5μA (typical)
  • Low-voltage operation: 2.0V to 3.6V
  • Industrial temperature range: -40℃ to +85℃
  • 8-pin SOIC package
  • RoHS compliant
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