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FM24V10-GTR Memory IC Chip 3.4MHz 1Mbit Serial I2C F-RAM Memory IC 8-SOIC

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Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
Rassegne del cliente
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—— Nishikawa dal Giappone

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FM24V10-GTR Memory IC Chip 3.4MHz 1Mbit Serial I2C F-RAM Memory IC 8-SOIC

FM24V10-GTR Memory IC Chip 3.4MHz 1Mbit Serial I2C F-RAM Memory IC 8-SOIC
FM24V10-GTR Memory IC Chip 3.4MHz 1Mbit Serial I2C F-RAM Memory IC 8-SOIC

Grande immagine :  FM24V10-GTR Memory IC Chip 3.4MHz 1Mbit Serial I2C F-RAM Memory IC 8-SOIC

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: FM24V10-GTR
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: 8-Soic
Tempi di consegna: 3-5 giorni lavorativi
Termini di pagamento: T/T
Capacità di alimentazione: 10000 pezzi al giorno
Contatto

FM24V10-GTR Memory IC Chip 3.4MHz 1Mbit Serial I2C F-RAM Memory IC 8-SOIC

Descrizione
Numero di parte: FM24V10-GTR Dimensione della memoria:: 1 Mbit
Tipo di interfaccia:: I2c Frequenza massima dell'orologio:: 3.4 MHz
Organizzazione:: 128 k x 8 Tensione di alimentazione operativa:: 2 V - 3,6 V
Evidenziare:

IC di memoria F-RAM FM24V10-GTR

,

Chip di memoria I2C da 1 Mbit

,

3IC di memoria seriale a.4 MHz

FM24V10-GTR Memory IC Chip 3.4MHz 1Mbit Serial I2C F-RAM Memory IC 8-SOIC
Descrizione del prodotto
L'FM24V10-GTR è un chip di memoria non volatile da 1 Mbit che utilizza una tecnologia ferroelettrica avanzata.Garantisce una conservazione affidabile dei dati per 151 anni, eliminando al contempo le complessità e i problemi di affidabilità associati all'EEPROM e ad altre soluzioni di memoria non volatile.
Specificità
Formato di memoria FRAM
Tecnologia FRAM (Ferroelettrica RAM)
Dimensione della memoria 1Mbit
Organizzazione della memoria 128K x 8
Interfaccia della memoria I2C
Frequenza dell'orologio 3.4 MHz
Tempo di accesso 130 ns
Voltaggio - Fornitura 2V ~ 3,6V
Temperatura di funzionamento -40°C ~ 85°C (TA)
Caratteristiche chiave
  • Memoria ad accesso casuale ferroelettrica (F-RAM) da 1 Mbit organizzata come 128K * 8
  • Alta resistenza: 100 trilioni (1014) di cicli di lettura/scrittura
  • Conservazione dei dati per 151 anni
  • NoDelayTM scrive per la memorizzazione immediata dei dati
  • Processo ferroelettrico avanzato ad alta affidabilità
  • Interfaccia seriale veloce a due fili (I2C)
  • Supporta frequenze fino a 3,4 MHz
  • Sostituzione diretta dell'hardware per EEPROM seriale (I2C)
  • Basso consumo energetico: 175 μA di corrente attiva a 100 kHz
  • Corrente di attesa: 90μA (tipica)
  • Corrente in modalità di riposo: 5μA (tipico)
  • Funzionamento a bassa tensione: da 2,0 a 3,6 V
  • Intervallo di temperatura industriale: da -40°C a +85°C
  • Pacchetto SOIC a 8 pin
  • RoHS conforme
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Numero della parte Pacco
ISSI20R11HXUMA1 PG-DSO-8
ISSI30R12HXUMA1 PG-DSO-16
4DIR2400HAXUMA1 PG-DSO-16
CY15V116QSN-108BKXI FBGA-24
4DIR0400HAXUMA1 PG-DSO-16
S70KL1282DPBHV023 24-FBGA
S70KL1282GABHV023 24-FBGA
S70KL1282DPBHB020 24-FBGA
S70KL1282DPBHB023 24-FBGA
S70KS1282GABHB020 24-FBGA
S70KS1282GABHA020 24-FBGA
S70KS1282GABHI020 24-FBGA
S70KL1282DPBHA020 24-FBGA
RV1S9231ACCSP-10YV#SC0 5-LSSO
RV1S9353ACCSP-120V#SC0 8-SMD
ISSI30R11HXUMA1 PG-DSO-16
4DIR0401HAXUMA1 PG-DSO-16
4DIR1400HAXUMA1 PG-DSO-16
4DIR1421HAXUMA1 PG-DSO-16
4DIR1420HAXUMA1 PG-DSO-16
STM32H7R7L8H6H TFBGA-225
STM32H7R7Z8J6 UFBGA-144
STM32H7S7I8K6 UFBGA-201
STM32H7S7I8T6 LQFP-176
STM32H7S7L8H6 TFBGA-225
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STM32H7S3I8K6 UFBGA-201
STM32H7S3I8T6 LQFP-176
Domande frequenti
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Sì, tutti i prodotti sono originali, siamo specializzati in nuovi componenti originali importati.
Quali certificati avete?
Siamo una società certificata ISO 9001:2015 e membro di ERAI.
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