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WNSC2D20650CJ 650V 10A Silicon Carbide Schottky Diode Integrated Circuit Chip con corrente di sovratensione 50A in TO-3PF Package

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Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

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WNSC2D20650CJ 650V 10A Silicon Carbide Schottky Diode Integrated Circuit Chip con corrente di sovratensione 50A in TO-3PF Package

WNSC2D20650CJ 650V 10A Silicon Carbide Schottky Diode Integrated Circuit Chip con corrente di sovratensione 50A in TO-3PF Package
WNSC2D20650CJ 650V 10A Silicon Carbide Schottky Diode Integrated Circuit Chip con corrente di sovratensione 50A in TO-3PF Package WNSC2D20650CJ 650V 10A Silicon Carbide Schottky Diode Integrated Circuit Chip con corrente di sovratensione 50A in TO-3PF Package

Grande immagine :  WNSC2D20650CJ 650V 10A Silicon Carbide Schottky Diode Integrated Circuit Chip con corrente di sovratensione 50A in TO-3PF Package

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: WNSC2D20650CJ
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: TO-3PF
Tempi di consegna: 5-8 giorni lavorativi
Termini di pagamento: T/T,L/C,Western Union
Contatto

WNSC2D20650CJ 650V 10A Silicon Carbide Schottky Diode Integrated Circuit Chip con corrente di sovratensione 50A in TO-3PF Package

Descrizione
Numero di parte: WNSC2D20650CJ Configurazione: Catodo comune
Vrrm - Tensione inversa ripetitiva: 650 v Se - corrente di andata: 10 A
Ifsm - Corrente di picco diretta: 50 a Ir - Corrente inversa: 50 uA
Evidenziare:

Diodo Schottky al carburo di silicio da 650V

,

Chip a circuito integrato da 10A

,

Corrente di picco in avanti di 50A

WNSC2D20650CJ chip di circuito integrato 650V doppio carburo di silicio Schottky diodi TO-3PF
WNSC2D20650CJè un diodo Schottky a doppio carburo di silicio da 650 V in un pacchetto di plastica TO3PF, progettato per alimentatori a commutazione ad alta frequenza.
Specificità
Configurazione del diodo 1 coppia di catodi comuni
Tecnologia SiC (carburo di silicio) Schottky
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max) 650 V
Corrente - media rettificata (Io) (per diodo) 20A
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se 1.7 V @ 10 A
Velocità Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) 0 ns
Corrente - perdite inverse @ Vr 50 μA @ 650 V
Temperatura di funzionamento - Giunzione 175°C
Tipo di montaggio Attraverso il buco
Confezione / Cassa TO-3P-3, SC-65-3
Confezione del dispositivo del fornitore TO-3PF
Caratteristiche chiave
  • Prestazioni di commutazione molto stabili
  • Tempo di recupero inverso estremamente rapido
  • Efficienza superiore alle alternative al diodo di silicio
  • Riduzione delle perdite nel MOSFET associato
  • Riduzione dell'IME
  • Riduzione dei requisiti di raffreddamento
  • RoHS conforme
  • Confezione isolante a 2500 V RMS
Applicazioni
  • Fonte di alimentazione ininterrotta/inverter
  • Correzione del fattore di potenza
  • Telecom / Server SMPS
  • PC Silverbox
  • Televisione LED / OLED
  • Motori motori
Altri componenti elettronici in magazzino
Numero della parte Pacco
NTBLS0D8N08XTXG 8-HPSOF
NVBG075N065SC1 TO-263-8
NVMFS040N10MCLT1G 8-PowerTDFN
L'indice di emissione deve essere conforme al regolamento (CE) n. 1272/2008. WDFN-8
NVMJST2D6N08HTXG 10-PowerLSOP
NTBG040N120M3S D2PAK-7
NVBG040N120M3S D2PAK-7
NTTFS2D1N04HLTWG PQFN-8
NTMFSC004N08MC PQFN-8
NVMYS010N04CLTWG LFPAK4
NTMFS022N15MC PQFN-8
NVTFWS052P04M8LTAG WDFN-8
NCV8402AMNWT1G DFN-6
NVTFS6H854NLWFTAG WDFN-8
NTMFS5C670NLT1G 8-PowerTDFN
NVMYS025N06CLTWG LFPAK4
NVMFS5C466NLT1G 8-PowerTDFN
NTTFS6H850NTAG WDFN-8
NVMFWS040N10MCLT1G 8-PowerTDFN
NVTYS9D6P04M8LTWG 8-LFPAK56
NTLJS053N12MCLTAG UDFN-6
FDBL86561-F085 8-HPSOF
NTTFS5D9N08HTWG PQFN-8
NTMFS015N10MCLT1G 8-PowerTDFN
L'indice di emissione deve essere conforme alle prescrizioni di cui all'allegato II. WDFN-8
NVMFD5C466NT1G 8-PowerTDFN
NTMFD5C674NLT1G 8-PowerTDFN
FDD13AN06A0-F085 TO-252-3
NVMFS4C05NT1G 8-PowerTDFN
FDMC86570LET60 8-PowerWDFN
Domande frequenti
D. I vostri prodotti sono originali?
A: Sì, tutti i prodotti sono originali, nuova importazione originale è il nostro scopo.
D: Quali certificati ha?
R: Siamo una società certificata ISO 9001:2015 e membro di ERAI.
D: Potete supportare un ordine o un campione di piccole quantità?
R: Sì, supportiamo l'ordine di campione e il piccolo ordine. Il costo del campione è diverso a seconda del tuo ordine o progetto.
D: Come spedisco il mio ordine?
A: usiamo l'espresso per spedire, come DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Possiamo anche utilizzare il vostro spedizioniere suggerito.I prodotti saranno in buona confezione e garantire la sicurezza e siamo responsabili per i danni prodotti al vostro ordine.
D: Che mi dici del tempo di consegna?
R: Possiamo spedire le parti in magazzino entro 5 giorni lavorativi. Se senza magazzino, confermeremo il tempo di consegna per te in base alla quantità dell'ordine.

Prodotto Tag:

Chip 24-PQFN del circuito integrato,

Lineare a doppio canale di TUSB1002ARGER,

Chip integrati QFN24

Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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