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IS46LQ32256A-062BLA1 8Gbit 1.6GHz 256M x 32 LPDDR4 SDRAM Memory IC Chip TFBGA200 Automotive Grade

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Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

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IS46LQ32256A-062BLA1 8Gbit 1.6GHz 256M x 32 LPDDR4 SDRAM Memory IC Chip TFBGA200 Automotive Grade

IS46LQ32256A-062BLA1 8Gbit 1.6GHz 256M x 32 LPDDR4 SDRAM Memory IC Chip TFBGA200 Automotive Grade
IS46LQ32256A-062BLA1 8Gbit 1.6GHz 256M x 32 LPDDR4 SDRAM Memory IC Chip TFBGA200 Automotive Grade IS46LQ32256A-062BLA1 8Gbit 1.6GHz 256M x 32 LPDDR4 SDRAM Memory IC Chip TFBGA200 Automotive Grade

Grande immagine :  IS46LQ32256A-062BLA1 8Gbit 1.6GHz 256M x 32 LPDDR4 SDRAM Memory IC Chip TFBGA200 Automotive Grade

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: IS46LQ32256A-062BLA1
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: TFBGA-200
Tempi di consegna: 5-8 GIORNI LAVORATIVI
Termini di pagamento: T/T,L/C,Western Union
Contatto

IS46LQ32256A-062BLA1 8Gbit 1.6GHz 256M x 32 LPDDR4 SDRAM Memory IC Chip TFBGA200 Automotive Grade

Descrizione
Numero di parte: IS46LQ32256A-062BLA1 Formato di memoria: DRAM
Massimo. Frequenza dell'orologio: 1,6 GHz (3,2 Gbps) Dimensioni della memoria: 8 Gbit
Organizzazione della memoria: 256M x 32 tecnologia: SDRAM - LPDDR4 mobile
Evidenziare:

8Gbit LPDDR4 SDRAM

,

1.6GHz Memory IC Chip

,

256M x 32 TFBGA200

IS46LQ32256A-062BLA1 Memory IC Chip 8Gbit CMOS LPDDR4 SDRAM Memory IC TFBGA200
Product Description
The IS46LQ32256A-062BLA1 is an 8Gbit CMOS LPDDR4 SDRAM organized as 2 channels with each channel containing 8 banks of 16-bit memory. This device utilizes a double data rate architecture for high-speed operation, featuring a 16N prefetch design that transfers two data words per clock cycle at the I/O pins.
Specifications
Memory Type Volatile
Memory Format DRAM
Technology SDRAM - Mobile LPDDR4
Memory Size 8Gbit
Memory Organization 256M x 32
Memory Interface LVSTL
Clock Frequency 1.6 GHz
Write Cycle Time - Word, Page 18ns
Access Time 3.5 ns
Voltage - Supply 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature -40°C ~ 95°C (TC)
Grade Automotive
Qualification AEC-Q100
Mounting Type Surface Mount
Package / Case 200-TFBGA
Supplier Device Package 200-TFBGA (10x14.5)
Key Features
  • Configuration: 256Mb x16 x 2 channels with 8 internal banks per channel
  • Low-voltage Core and I/O Power Supplies:
    • VDD1 = 1.70-1.95V
    • VDD2 = 1.06-1.17V
    • VDDQ = 1.06-1.17V (LPDDR4)
    • VDDQ = 0.57-0.65V (LPDDR4X)
  • LVSTL (Low Voltage Swing Terminated Logic) I/O Interface
  • Internal VREF and VREF Training
  • Dynamic ODT with VSSQ Termination for DQ and VSS Termination for CA
  • Maximum Clock Frequency: 1.6GHz (3.2Gbps)
  • 16n Pre-fetch DDR architecture
  • Single data rate (multiple cycles) command/address bus
  • Bidirectional/differential data strobe per byte of data (DQS/DQS#)
  • Programmable and on-the-fly burst lengths (BL=16, 32)
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