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IPA50R500CE 500V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET Transistor for High Efficiency Applications

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Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

—— Luis dagli Stati Uniti

Alta qualità e prestazioni affidabili: "I componenti elettronici che abbiamo ricevuto da [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] sono di alta qualità e hanno dimostrato prestazioni affidabili nei nostri dispositivi".

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—— Sam dagli Stati Uniti

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IPA50R500CE 500V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET Transistor for High Efficiency Applications

IPA50R500CE 500V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET Transistor for High Efficiency Applications
IPA50R500CE 500V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET Transistor for High Efficiency Applications IPA50R500CE 500V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET Transistor for High Efficiency Applications

Grande immagine :  IPA50R500CE 500V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET Transistor for High Efficiency Applications

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: IPA50R500CE
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: TO-220-3
Tempi di consegna: 3-5 giorni lavorativi
Termini di pagamento: T/T
Capacità di alimentazione: 10000 pezzi al giorno
Contatto

IPA50R500CE 500V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET Transistor for High Efficiency Applications

Descrizione
Numero di parte: IPA50R500CE Polarità del transistor:: N-channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:: 500 v Id - Corrente di scarico continua:: 11.1 A
Rds On - Resistenza Drain-Source:: 1.17 Ohm Vgs - Tensione gate-source:: - 20 V, 20 V
Evidenziare:

500V Drain-Source Voltage Power MOSFET

,

N-Channel Power MOSFET

,

CoolMOS™ Technology Transistor

IPA50R500CE Integrated Circuit Chip 500V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET Transistors
IPA50R500CE 500V CoolMOS™ CE is a price-performance optimized platform enabling cost-sensitive applications in consumer and lighting markets while meeting highest efficiency standards. This new series provides all benefits of a fast switching superjunction MOSFET while maintaining ease of use and offering the best cost-performance ratio available on the market.
Specifications
Parameter Value
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500mOhm @ 2.3A, 13V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18.7 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 433 pF @ 100 V
Power Dissipation (Max) 28W (Tc)
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Key Features
  • Extremely low losses due to very low FOM Rdson*Qg and Eoss
  • Very high commutation ruggedness
  • Easy to use and drive
  • Pb-free plating, Halogen free mold compound
  • Qualified for standard grade applications
Product Benefits
  • Better control
  • High efficiency in hard switching applications
  • Higher power density
  • High CoolMOS™ quality and reliability
  • Fully insulated package
Applications
  • PFC stages
  • Hard switching PWM stages
  • Resonant switching stages
  • PC Silverbox, Adapter, LCD & PDP TV applications
  • Indoor lighting systems
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Part Number Package
ISO7763FQDWQ1 16-SOIC
ISO7821FDWWR 16-SOIC
ISO7810FDWWR 16-SOIC
ISO7142CCQDBQQ1 16-SSOP
ISO7331FCQDWQ1 16-SOIC
ISO7340FCQDWQ1 16-SOIC
ISO7721FQDWRQ1 16-SOIC
ISO7820DWWR 16-SOIC
ISO7841DWWR 16-SOIC
ISO7321FCQDQ1 8-SOIC
ISO6721RFBQDRQ1 8-SOIC
OPA814DR 8-SOIC
INA310B4QDGKRQ1 8-TSSOP
INA310A2QDGKRQ1 8-TSSOP
INA310A1QDGKRQ1 8-TSSOP
INA310A5QDGKRQ1 8-TSSOP
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Prodotto Tag:

Chip 24-PQFN del circuito integrato,

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Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

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