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IPA50R500CE 500V CoolMOSTM N-Channel Power MOSFET Transistor per applicazioni ad alta efficienza

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Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

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IPA50R500CE 500V CoolMOSTM N-Channel Power MOSFET Transistor per applicazioni ad alta efficienza

IPA50R500CE 500V CoolMOSTM N-Channel Power MOSFET Transistor per applicazioni ad alta efficienza
IPA50R500CE 500V CoolMOSTM N-Channel Power MOSFET Transistor per applicazioni ad alta efficienza IPA50R500CE 500V CoolMOSTM N-Channel Power MOSFET Transistor per applicazioni ad alta efficienza

Grande immagine :  IPA50R500CE 500V CoolMOSTM N-Channel Power MOSFET Transistor per applicazioni ad alta efficienza

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: IPA50R500CE
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: TO-220-3
Tempi di consegna: 3-5 giorni lavorativi
Termini di pagamento: T/T
Capacità di alimentazione: 10000 pezzi al giorno
Contatto

IPA50R500CE 500V CoolMOSTM N-Channel Power MOSFET Transistor per applicazioni ad alta efficienza

Descrizione
Numero di parte: IPA50R500CE Polarità del transistor:: N-channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:: 500 v Id - Corrente di scarico continua:: 11.1 A
Rds On - Resistenza Drain-Source:: 1.17 Ohm Vgs - Tensione gate-source:: - 20 V, 20 V
Evidenziare:

MOSFET di potenza a tensione di scarico 500V

,

MOSFET di potenza a canale N

,

Transistor a tecnologia CoolMOSTM

IPA50R500CE Chip di circuito integrato 500V CoolMOSTM Transistor MOSFET di potenza N-Channel
IPA50R500CE 500V CoolMOSTM CE è una piattaforma ottimizzata per le prestazioni in termini di prezzo che consente applicazioni a basso costo nei mercati dei consumatori e dell'illuminazione, soddisfacendo i più elevati standard di efficienza.Questa nuova serie offre tutti i vantaggi di un MOSFET a superunione a commutazione rapida, pur mantenendo la facilità d'uso e offrendo il miglior rapporto costi/prestazioni disponibile sul mercato.
Specificità
Parametro Valore
Tipo di FET Canale N
Tecnologia MOSFET (ossido metallico)
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss) 500 V
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C 7.6A (Tc)
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On) 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500 mOhm @ 2.3A, 13V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 200μA
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs 18.7 nC @ 10 V
Vgs (Max) ± 20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 433 pF @ 100 V
Dissipazione di potenza (Max) 28W (Tc)
Temperatura di funzionamento -40°C ~ 150°C (TJ)
Caratteristiche chiave
  • Perdite estremamente basse dovute a FOM Rdson*Qg e Eoss molto bassi
  • Ragione di commutazione molto elevata
  • Facile da usare e da guidare
  • Pb-free plating, composto di muffe libero da alogene
  • Qualificato per applicazioni di grado standard
Benefici del prodotto
  • Miglior controllo
  • Alta efficienza nelle applicazioni di hard switching
  • Maggiore densità di potenza
  • Alta qualità e affidabilità CoolMOSTM
  • Imballaggio completamente isolato
Applicazioni
  • Fasi PFC
  • Fase PWM a commutazione dura
  • Fasi di commutazione da risonanza
  • Applicazioni per PC Silverbox, Adapter, LCD e PDP TV
  • Sistemi di illuminazione interna
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Numero della parte Pacco
ISO 7763FQDWQ1 16-SOIC
ISO 7821FDWWR 16-SOIC
ISO 7810FDWWR 16-SOIC
ISO 7142CCQDBQQQ1 16-SSOP
ISO 7331FCQDWQ1 16-SOIC
ISO 7340FCQDWQ1 16-SOIC
ISO 7721FQDWRQ1 16-SOIC
ISO 7820DWWR 16-SOIC
ISO 7841DWWR 16-SOIC
ISO 7321FCQDQ1 8-SOIC
ISO 6721RFBQDRQ1 8-SOIC
OPA814DR 8-SOIC
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Sì, tutti i prodotti sono originali.
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Prodotto Tag:

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ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

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