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Casa ProdottiChip del circuito integrato

IPD50R3K0CE Integrated Circuit Chip 500V 1.7A CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET Transistor with 3 Ohms Drain-Source Resistance

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Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

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IPD50R3K0CE Integrated Circuit Chip 500V 1.7A CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET Transistor with 3 Ohms Drain-Source Resistance

IPD50R3K0CE Integrated Circuit Chip 500V 1.7A CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET Transistor with 3 Ohms Drain-Source Resistance
IPD50R3K0CE Integrated Circuit Chip 500V 1.7A CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET Transistor with 3 Ohms Drain-Source Resistance IPD50R3K0CE Integrated Circuit Chip 500V 1.7A CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET Transistor with 3 Ohms Drain-Source Resistance

Grande immagine :  IPD50R3K0CE Integrated Circuit Chip 500V 1.7A CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET Transistor with 3 Ohms Drain-Source Resistance

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: IPD50R3K0CE
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: TO-252-3
Tempi di consegna: 3-5 giorni lavorativi
Termini di pagamento: T/T
Capacità di alimentazione: 10000 pezzi al giorno
Contatto

IPD50R3K0CE Integrated Circuit Chip 500V 1.7A CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET Transistor with 3 Ohms Drain-Source Resistance

Descrizione
Numero di parte: IPD50R3K0CE Polarità del transistor:: N-channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:: 500 v Id - Corrente di scarico continua:: 2,6 A
Rds On - Resistenza Drain-Source:: 3 Ohm Vgs - Tensione gate-source:: - 20 V, 20 V
Evidenziare:

500V Drain-Source Breakdown Voltage Integrated Circuit Chip

,

1.7A Continuous Drain Current Power MOSFET Transistor

,

3 Ohms Drain-Source Resistance CoolMOS™ N-Channel

IPD50R3K0CE Integrated Circuit Chip 500V 1.7A CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET Transistors
IPD50R3K0CE Integrated Circuit Chip 500V 1.7A CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET Transistors
Product Description
IPD50R3K0CE 500V CoolMOS™ CE is a price-performance optimized platform designed for cost-sensitive applications in consumer and lighting markets while maintaining high efficiency standards. This series provides all the benefits of fast-switching superjunction MOSFET technology while ensuring ease of use and offering the best cost-to-performance ratio available on the market.
Technical Specifications
Parameter Value
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ω @ 400mA, 13V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 30µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.3 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 84 pF @ 100 V
Power Dissipation (Max) 26W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Key Features
  • Extremely low losses due to very low FOM Rdson*Qg and Eoss
  • Very high commutation ruggedness
  • Easy to use and drive
  • Pb-free plating, Halogen free mold compound
  • Qualified for standard grade applications
Applications
  • PFC stages
  • Hard switching PWM stages
  • Resonant switching stages
  • PC Silverbox, Adapter, LCD & PDP TV
  • Indoor lighting systems
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Part Number Package
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ISO7810FDWWR 16-SOIC
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ISO7331FCQDWQ1 16-SOIC
ISO7340FCQDWQ1 16-SOIC
ISO7721FQDWRQ1 16-SOIC
ISO7820DWWR 16-SOIC
ISO7841DWWR 16-SOIC
ISO7321FCQDQ1 8-SOIC
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Prodotto Tag:

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Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

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