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RGS80TSX2DHRC11 1200V 40A Transistor IGBT a trincea Field Stop con tolleranza al cortocircuito di 10µs per applicazioni automotive

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Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

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RGS80TSX2DHRC11 1200V 40A Transistor IGBT a trincea Field Stop con tolleranza al cortocircuito di 10µs per applicazioni automotive

RGS80TSX2DHRC11 1200V 40A Transistor IGBT a trincea Field Stop con tolleranza al cortocircuito di 10µs per applicazioni automotive
RGS80TSX2DHRC11 1200V 40A Transistor IGBT a trincea Field Stop con tolleranza al cortocircuito di 10µs per applicazioni automotive RGS80TSX2DHRC11 1200V 40A Transistor IGBT a trincea Field Stop con tolleranza al cortocircuito di 10µs per applicazioni automotive

Grande immagine :  RGS80TSX2DHRC11 1200V 40A Transistor IGBT a trincea Field Stop con tolleranza al cortocircuito di 10µs per applicazioni automotive

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: RGS80TSX2DHRC11
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: TO-247N-3
Tempi di consegna: 5-8 GIORNI LAVORATIVI
Termini di pagamento: T/T,L/C,Western Union
Contatto

RGS80TSX2DHRC11 1200V 40A Transistor IGBT a trincea Field Stop con tolleranza al cortocircuito di 10µs per applicazioni automotive

Descrizione
Numero di parte: RGS80TSX2DHRC11 Voltaggio VCEO Max del collettore-emittente:: 1,2 kV
Tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore:: 2,1 V Tensione massima dell'emettitore della porta:: 30 V
Corrente continua del collettore a 25 °C:: 80 a Pd - Dissipazione di potenza:: 555 W
Evidenziare:

Transistor IGBT da 1200V

,

IGBT a trincea Field Stop da 40A

,

Chip a circuito integrato con tolleranza al cortocircuito di 10µs

Chip di circuito integrato RGS80TSX2DHRC11
Transistori IGBT per applicazioni automobilistiche con tolleranza a cortocircuito di 10 μs e FRD integrato.
Visualizzazione del prodotto
L'RGS80TSX2DHRC11 è un transistor IGBT di 1200V 40A Field Stop Trench con tolleranza a corto circuito di 10μs, FRD integrato e confezionamento TO-247N, progettato specificamente per applicazioni automobilistiche.
Specifiche tecniche
Parametro Valore
Tipo IGBT Ferma di campo di trincea
Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max) 1200 V
Corrente - Collettore (Ic) (Max) 80 A
Corrente - collettore pulsato (Icm) 120 A
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 40A
Potenza - Max 555 W
Cambiare energia 3mJ (accesi), 3,1mJ (spenti)
Tipo di input Norme
Carico della porta 104 a.C.
Td (accesa/spenta) @ 25°C 49n/199n
Condizione di prova 600V, 40A, 10 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) 198 ns
Temperatura di funzionamento -40°C ~ 175°C (TJ)
Caratteristiche chiave
  • Voltaggio di saturazione basso del collettore-emittente
  • Cortocircuito resistenza tempo 10 μs
  • Qualificato secondo la norma automobilistica AEC-Q101
  • FRD di recupero molto veloce e morbido integrato
  • Pb-free Lead Plating e RoHS Compliant
Applicazioni
Invertitori generali per uso automobilistico e industriale
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Sì, tutti i prodotti sono originali, nuova importazione originale è il nostro scopo.
Quali certificati avete?
Siamo una società certificata ISO 9001:2015 e membro di ERAI.
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Sì, supportiamo ordini di campione e piccoli ordini. Il costo del campione varia a seconda del vostro ordine o delle esigenze del progetto.
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Prodotto Tag:

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Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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