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Circuito integrato IPW65R041CFD, chip 650V CoolMOS™ MOSFET di potenza a canale N con 68,5A di corrente di drain continua e 37mOhms di resistenza drain-source

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Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

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Circuito integrato IPW65R041CFD, chip 650V CoolMOS™ MOSFET di potenza a canale N con 68,5A di corrente di drain continua e 37mOhms di resistenza drain-source

Circuito integrato IPW65R041CFD, chip 650V CoolMOS™ MOSFET di potenza a canale N con 68,5A di corrente di drain continua e 37mOhms di resistenza drain-source
Circuito integrato IPW65R041CFD, chip 650V CoolMOS™ MOSFET di potenza a canale N con 68,5A di corrente di drain continua e 37mOhms di resistenza drain-source Circuito integrato IPW65R041CFD, chip 650V CoolMOS™ MOSFET di potenza a canale N con 68,5A di corrente di drain continua e 37mOhms di resistenza drain-source

Grande immagine :  Circuito integrato IPW65R041CFD, chip 650V CoolMOS™ MOSFET di potenza a canale N con 68,5A di corrente di drain continua e 37mOhms di resistenza drain-source

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: IPW65R041CFD
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: TO-247-3
Tempi di consegna: 3-5 giorni lavorativi
Termini di pagamento: TT
Capacità di alimentazione: 10000 pezzi al giorno
Contatto

Circuito integrato IPW65R041CFD, chip 650V CoolMOS™ MOSFET di potenza a canale N con 68,5A di corrente di drain continua e 37mOhms di resistenza drain-source

Descrizione
Numero di parte: IPW65R041CFD Polarità del transistor:: N-channel
Numero di canali:: 1 canale Vds - Tensione di rottura drain-source:: 650 v
Id - Corrente di scarico continua:: 68.5 A Rds On - Resistenza Drain-Source:: 37 mOhms
Evidenziare:

650V MOSFET di potenza a tensione di scarico

,

68.5A Transistor CoolMOSTM a corrente di scarico continua

,

37 mOhms Resistenza alla fonte di scarico chip di circuito integrato

IPW65R041CFD chip di circuito integrato 650V CoolMOSTM N-channel Power MOSFET transistor
Visualizzazione del prodotto

IPW65R041CFD CoolMOSTM rappresenta una tecnologia rivoluzionaria per MOSFET ad alta tensione, progettata secondo il principio della supergiunzione (SJ) e sviluppata da Infineon Technologies.La serie 650V CoolMOS TIM CFD2 combina l'esperienza del fornitore leader di SJ MOSFET con innovazione di alto livelloQuesti dispositivi offrono tutti i vantaggi di un MOSFET SJ a commutazione rapida, offrendo al contempo un diodo di corpo estremamente veloce e robusto.le perdite di commutazione e di conduzione insieme alla massima robustezza rendono le applicazioni di commutazione risonante più affidabili, efficiente, leggero e più fresco.

Specifiche tecniche
Parametro Valore
Tipo di FET Canale N
Tecnologia MOSFET (ossido metallico)
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss) 650 V
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C 50A (Tc)
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 41 mOhm @ 24,8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.24mA
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs 102 nC @ 10 V
Vgs (Max) ± 20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4975 pF @ 400 V
Dissipazione di potenza (Max) 227W (Tc)
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Caratteristiche chiave
  • Diodo di carrozzeria ultra veloce
  • Ragione di commutazione molto elevata
  • Perdite estremamente basse dovute a FOM Rdson*Qg e Eoss molto bassi
  • Facile da usare/guidare
  • Pb-free plating, composto di muffe libero da alogene
  • Qualificato per applicazioni di grado industriale secondo JEDEC (J-STD20 e JESD22)
Applicazioni
  • Immagazzinamento di energia a batteria (BESS)
  • Carica elettrica
  • Soluzioni di alimentazione elettrica per ferrovie DIN
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  • Automazione domestica e degli edifici
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Prodotto Tag:

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Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

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