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BSC010NE2LS OptiMOS 25V 100A Transistor MOSFET di potenza a canale N con resistenza drain-source da 1 mOhm

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Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

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BSC010NE2LS OptiMOS 25V 100A Transistor MOSFET di potenza a canale N con resistenza drain-source da 1 mOhm

BSC010NE2LS OptiMOS 25V 100A Transistor MOSFET di potenza a canale N con resistenza drain-source da 1 mOhm
BSC010NE2LS OptiMOS 25V 100A Transistor MOSFET di potenza a canale N con resistenza drain-source da 1 mOhm BSC010NE2LS OptiMOS 25V 100A Transistor MOSFET di potenza a canale N con resistenza drain-source da 1 mOhm

Grande immagine :  BSC010NE2LS OptiMOS 25V 100A Transistor MOSFET di potenza a canale N con resistenza drain-source da 1 mOhm

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: BSC010NE2LS
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: TDSON-8
Tempi di consegna: 5-8 GIORNI LAVORATIVI
Termini di pagamento: T/T,L/C,Western Union
Contatto

BSC010NE2LS OptiMOS 25V 100A Transistor MOSFET di potenza a canale N con resistenza drain-source da 1 mOhm

Descrizione
Numero di parte: BSC010NE2LS Polarità del transistor:: N-channel
Numero di canali:: 1 canale Vds - Tensione di rottura drain-source:: 25 V
Id - Corrente di scarico continua:: 100 A Rds On - Resistenza Drain-Source:: mOhms 1
Evidenziare:

Transistor MOSFET di potenza con tensione Drain-Source di 25V

,

MOSFET N-Channel con corrente di drain continua di 100A

,

Transistor OptiMOS con resistenza Drain-Source di 1 mOhm

Chip a circuito integrato BSC010NE2LS OptiMOS™ 25V 100A N-Channel Power MOSFET Transistors
Panoramica del Prodotto

BSC010NE2LS è un transistor MOSFET di potenza a canale N OptiMOS™ 25V 100A progettato per applicazioni di potenza ad alte prestazioni.

Specifiche Tecniche
Parametro Valore
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain-Source (Vdss) 25 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25°C 38A (Ta), 100A (Tc)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.05mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs 59 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V
Capacitanza di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4200 pF @ 12 V
Dissipazione di potenza (Max) 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Caratteristiche Principali
  • Ottimizzato per applicazioni di convertitori buck ad alte prestazioni
  • Resistenza on-state molto bassa RDS(on)@VGS=4.5V
  • Testato al 100% per affidabilità in caso di valanga
  • Prestazioni superiori di resistenza termica
  • Configurazione a canale N
  • Qualificato secondo JEDEC per le applicazioni target
  • Placcatura senza piombo; conforme a RoHS
  • Senza alogeni secondo IEC61249-2-21
Applicazioni
  • Soluzioni di alimentazione su guida DIN
  • Sistemi di azionamento motore per uso generale
  • Convertitore bus intermedio (IBC) a 48 V
  • Infrastruttura di telecomunicazioni
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Codice articolo Pacchetto
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Prodotto Tag:

Chip 24-PQFN del circuito integrato,

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Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

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