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IPP032N06N3G OptiMOSTM 3 Power MOSFET N-Channel 60V 120A 2,6 mOhms per commutazione ad alta efficienza

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Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

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IPP032N06N3G OptiMOSTM 3 Power MOSFET N-Channel 60V 120A 2,6 mOhms per commutazione ad alta efficienza

IPP032N06N3G OptiMOSTM 3 Power MOSFET N-Channel 60V 120A 2,6 mOhms per commutazione ad alta efficienza
IPP032N06N3G OptiMOSTM 3 Power MOSFET N-Channel 60V 120A 2,6 mOhms per commutazione ad alta efficienza IPP032N06N3G OptiMOSTM 3 Power MOSFET N-Channel 60V 120A 2,6 mOhms per commutazione ad alta efficienza

Grande immagine :  IPP032N06N3G OptiMOSTM 3 Power MOSFET N-Channel 60V 120A 2,6 mOhms per commutazione ad alta efficienza

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: IPP032N06N3G
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: TO-220-3
Tempi di consegna: 3-5 giorni lavorativi
Termini di pagamento: T/T
Capacità di alimentazione: 10000 pezzi al giorno
Contatto

IPP032N06N3G OptiMOSTM 3 Power MOSFET N-Channel 60V 120A 2,6 mOhms per commutazione ad alta efficienza

Descrizione
Numero di parte: IPP032N06N3G Vds - Tensione di rottura drain-source:: 60 V
Id - Corrente di scarico continua:: 120 a Rds On - Resistenza Drain-Source:: 2.6 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:: - 20 V, 20 V Vgs th - Tensione di soglia gate-source:: 3 v
Evidenziare:

MOSFET di potenza da 60 V

,

MOSFET a canale N da 120A

,

2.6 mOhms OptiMOS™ 3

Chip a circuito integrato IPP032N06N3G OptiMOS™ 3 60V 120A N-Channel Power MOSFET Transistor
Panoramica del prodotto

IPP032N06N3G OptiMOS™ 60V è un transistor MOSFET di potenza avanzato progettato per applicazioni ad alta efficienza. Questo dispositivo N-Channel è ideale per la rettifica sincrona negli alimentatori a commutazione (SMPS) presenti in server, desktop e caricabatterie per tablet. Inoltre, serve varie applicazioni industriali tra cui il controllo motori, i micro inverter solari e i convertitori DC-DC a commutazione rapida.

Specifiche tecniche
Parametro Valore
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain-Source (Vdss) 60 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25°C 120A (Tc)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 118µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs 165 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V
Capacitanza di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 13000 pF @ 30 V
Dissipazione di potenza (Max) 188W (Tc)
Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Caratteristiche principali
  • Ideale per la commutazione ad alta frequenza e la rettifica sincrona
  • Tecnologia ottimizzata per convertitori DC/DC
  • Eccellente prodotto carica di gate x RDs(on) (FOM)
  • Resistenza molto bassa Rps(on)
  • N-channel, livello normale
  • Testato al 100% contro le valanghe
  • Placcatura senza piombo; conforme a RoHS
  • Qualificato secondo JEDEC per le applicazioni target
  • Senza alogeni secondo IEC61249-2-21
Vantaggi prestazionali
  • Massima efficienza del sistema
  • Meno parallelismo richiesto
  • Maggiore densità di potenza
  • Riduzione dei costi di sistema
  • Sovratensione molto bassa
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Domande frequenti
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Sì, tutti i prodotti sono originali, la nuova importazione originale è il nostro scopo.
Quali certificati avete?
Siamo un'azienda certificata ISO 9001:2015 e membro di ERAI.
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Sì, supportiamo ordini di campioni e piccoli ordini. Il costo del campione varia in base all'ordine o ai requisiti del progetto.
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Prodotto Tag:

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Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

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