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IXFP20N85X Transistor MOSFET di potenza a canale N HiPerFET™ X-Class da 850V con corrente di drain continua di 20A e dissipazione di potenza di 540W

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Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

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IXFP20N85X Transistor MOSFET di potenza a canale N HiPerFET™ X-Class da 850V con corrente di drain continua di 20A e dissipazione di potenza di 540W

IXFP20N85X Transistor MOSFET di potenza a canale N HiPerFET™ X-Class da 850V con corrente di drain continua di 20A e dissipazione di potenza di 540W
IXFP20N85X Transistor MOSFET di potenza a canale N HiPerFET™ X-Class da 850V con corrente di drain continua di 20A e dissipazione di potenza di 540W IXFP20N85X Transistor MOSFET di potenza a canale N HiPerFET™ X-Class da 850V con corrente di drain continua di 20A e dissipazione di potenza di 540W

Grande immagine :  IXFP20N85X Transistor MOSFET di potenza a canale N HiPerFET™ X-Class da 850V con corrente di drain continua di 20A e dissipazione di potenza di 540W

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: IXFP20N85X
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: TO-220-3
Tempi di consegna: 5-8 GIORNI LAVORATIVI
Termini di pagamento: T/T,L/C,Western Union
Contatto

IXFP20N85X Transistor MOSFET di potenza a canale N HiPerFET™ X-Class da 850V con corrente di drain continua di 20A e dissipazione di potenza di 540W

Descrizione
Numero di parte: IXFP20N85X Vds - Tensione di rottura Drain-Source: 850 V
Id - Corrente di scarico continua: 20 A Rds On - Resistenza Drain-Source: 330 mOhms
Qg - Carica di gate: 63 nC Pd - Dissipazione di potenza: 540 W
Evidenziare:

MOSFET di potenza con tensione drain-source da 850 V

,

Transistor MOSFET a corrente di scarico continuo da 20 A

,

MOSFET a canale N con dissipazione di potenza da 540 W

IXFP20N85X chip di circuito integrato 850V classe X HiPerFETTM transistor MOSFET di potenza N-Channel
IXFP20N85X è un transistor MOSFET di potenza in modalità di potenziamento N-Channel di 850V HiPerFET TM di classe X progettato per applicazioni di potenza ad alte prestazioni.
Specificità
Parametro Valore
Serie HiPerFETTM, Ultra X
Tipo di FET Canale N
Tecnologia MOSFET (ossido metallico)
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss) 850 V
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 330mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 2.5mA
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs 63 nC @ 10 V
Vgs (Max) ± 30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1660 pF @ 25 V
Dissipazione di potenza (Max) 540W (Tc)
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Attraverso il buco
Confezione del dispositivo del fornitore TO-220-3
Confezione / Cassa TO-220-3
Caratteristiche chiave
  • Pacchi standard internazionali
  • Pacchetto ad alta tensione
  • Basso RDS ((ON) e QG
  • Valutazione delle valanghe
  • Induttanza del pacchetto bassa
Vantaggi
  • Alta densità di potenza
  • Facile da montare
  • Risparmio di spazio
Applicazioni
  • Forniture di alimentazione in modalità interruttore e in modalità risonante
  • Convertitori di corrente continua
  • Circuiti PFC
  • Motori a corrente alternata e continua
  • Robotica e servocontrolli
Componenti elettronici correlati in stock
Numero della parte Pacco
IKW25N120H3XK TO-247-3
Il numero di unità di controllo è il seguente: TO-247-4
I prodotti di cui al paragrafo 1 sono classificati come prodotti di fabbricazione. TO-247-3
FD200R12KE3P Modulo
I prodotti di cui al paragrafo 1 sono classificati come prodotti di fabbricazione. TO-247-3
FF1700XTR17IE5D Modulo
FF4MR12W2M1HPB11 Modulo
AIKBE50N65RF5 TO-263-8
FS50R12W2T7P Modulo
FS3L35R07W2H5C40 Modulo
FS50R12W2T7PB11 Modulo
FS3L35R07W2H5C56 Modulo
FS28MR12W1M1HB70 Modulo
F475R07W2H3B11 Modulo
DDB6U180N22R Modulo
F3L200R12N2H3B48 Modulo
1EDI60I12AH DSO-8
1ED020I12F2 DSO-16
IGI60L5050A1M TFLGA-27
ITS6035SEPK TSDSO-14
BTT62004ESA TSDSO-24
ITS4075QEPD TSDSO-14
BTS500151TAD TO-263-7
BTS500101TAD TO-263-7
TLE75080ESH TSDSO-24
BTS621L1E3128A TO-263-7
BTS70122EPG PG-TSDSO-14
BTS70402EPG PG-TSDSO-14
BTS700121ESP PG-TSDSO-24
BTS700201ESP PG-TSDSO-24
Domande frequenti
I vostri prodotti sono originali?
Sì, tutti i prodotti sono originali, nuova importazione originale è il nostro scopo.
Quali certificati avete?
Siamo una società certificata ISO 9001:2015 e membro di ERAI.
Puoi supportare un ordine o un campione in piccole quantità? Il campione è gratuito?
Sì, supportiamo l'ordine di campione e il piccolo ordine. Il costo del campione è diverso a seconda del tuo ordine o progetto.
Come spedisco il mio ordine?
Utilizziamo l'express per spedire, come DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito.I prodotti saranno in buona confezione e garantire la sicurezza e siamo responsabili per i danni prodotti al vostro ordine.
E il tempo di consegna?
Possiamo spedire le parti in magazzino entro 5 giorni lavorativi. Se senza magazzino, confermeremo il tempo di consegna per te in base alla quantità dell'ordine.

Prodotto Tag:

Chip 24-PQFN del circuito integrato,

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Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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