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IRFP150MPBF 100V 42A N-Channel MOSFET Transistor con resistenza al drenaggio di 36mOhm Serie HEXFET

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Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

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IRFP150MPBF 100V 42A N-Channel MOSFET Transistor con resistenza al drenaggio di 36mOhm Serie HEXFET

IRFP150MPBF 100V 42A N-Channel MOSFET Transistor con resistenza al drenaggio di 36mOhm Serie HEXFET
IRFP150MPBF 100V 42A N-Channel MOSFET Transistor con resistenza al drenaggio di 36mOhm Serie HEXFET IRFP150MPBF 100V 42A N-Channel MOSFET Transistor con resistenza al drenaggio di 36mOhm Serie HEXFET

Grande immagine :  IRFP150MPBF 100V 42A N-Channel MOSFET Transistor con resistenza al drenaggio di 36mOhm Serie HEXFET

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: IRFP150MPBF
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: TO-247-3
Tempi di consegna: 5-8 GIORNI LAVORATIVI
Termini di pagamento: T/T,L/C,Western Union
Contatto

IRFP150MPBF 100V 42A N-Channel MOSFET Transistor con resistenza al drenaggio di 36mOhm Serie HEXFET

Descrizione
Numero di parte: IRFP150MPBF Vds - Tensione di rottura Drain-Source: 100 v
Id - Corrente di scarico continua: 42 A Rds On - Resistenza Drain-Source: 36 mOhms
Qg - Carica di gate: 110 nC Pd - Dissipazione di potenza: 160 W
Evidenziare:

transistor del MOSFET 100V

,

MOSFET a canale N da 42 A

,

Serie HEXFET da 36 mOhm

Chip a circuito integrato IRFP150MPBF
Transistor MOSFET a canale N serie HEXFET da 100 V 42 A
Panoramica del prodotto
IRFP150MPBF è un transistor MOSFET a canale N serie HEXFET da 100 V, 42 A, nel package TO-247-3, progettato per applicazioni di potenza ad alte prestazioni.
Specifiche tecniche
ParametroValore
SerieHEXFET®
Tipo di FETCanale N
TecnologiaMOSFET (Ossido di metallo)
Tensione Drain-Source (Vdss)100 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25°C42A (Tc)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs36mOhm @ 23A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs110 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Capacitanza di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1900 pF @ 25 V
Dissipazione di potenza (Max)160W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Package del dispositivo del fornitoreTO-247AC
Package / CaseTO-247-3
Caratteristiche principali
  • Tecnologia di processo avanzata
  • Valore dv/dt dinamico
  • Temperatura di esercizio di 175°C
  • Commutazione veloce
  • Completamente valutato per valanga
  • Senza piombo
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Codice articoloPackage
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Domande frequenti
I vostri prodotti sono originali?
Sì, tutti i prodotti sono originali, la nuova importazione originale è il nostro scopo.
Quali certificati avete?
Siamo un'azienda certificata ISO 9001:2015 e membro di ERAI.
È possibile supportare un ordine di piccole quantità o un campione? Il campione è gratuito?
Sì, supportiamo l'ordine di campioni e piccoli ordini. Il costo del campione è diverso a seconda dell'ordine o del progetto.
Come spedire il mio ordine? È sicuro?
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Prodotto Tag:

Chip 24-PQFN del circuito integrato,

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Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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