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IRFP4368PBF Power MOSFET 75V 195A 1,85 mOhm N-Channel StrongIRFET Transistor nel package TO-247

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Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

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IRFP4368PBF Power MOSFET 75V 195A 1,85 mOhm N-Channel StrongIRFET Transistor nel package TO-247

IRFP4368PBF Power MOSFET 75V 195A 1,85 mOhm N-Channel StrongIRFET Transistor nel package TO-247
IRFP4368PBF Power MOSFET 75V 195A 1,85 mOhm N-Channel StrongIRFET Transistor nel package TO-247

Grande immagine :  IRFP4368PBF Power MOSFET 75V 195A 1,85 mOhm N-Channel StrongIRFET Transistor nel package TO-247

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: IRFP4368PBF
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: TO-247-3
Tempi di consegna: 5-8 GIORNI LAVORATIVI
Termini di pagamento: T/T,L/C,Western Union
Contatto

IRFP4368PBF Power MOSFET 75V 195A 1,85 mOhm N-Channel StrongIRFET Transistor nel package TO-247

Descrizione
Numero di parte: IRFP4368PBF Vds - Tensione di rottura drain-source:: 75 V
Id - Corrente di scarico continua:: 195 A Rds On - Resistenza Drain-Source:: 1,85 mOhm
Vgs - Tensione gate-source:: - 20 V, 20 V Vgs th - Tensione di soglia gate-source:: 4 V
Evidenziare:

MOSFET di potenza da 75 V

,

Transistor MOSFET 195A

,

IRFET potente da 1

IRFP4368PBF chip di circuito integrato
Transistor MOSFET di potenza StrongIRFETTM a singolo canale N da 75 V in TO-247
Visualizzazione del prodotto
La famiglia di MOSFET di potenza IRFP4368PBF StrongIRFETTM è ottimizzata per una bassa capacità di RDS ((on) e alta capacità di corrente.Il portafoglio completo si rivolge a un'ampia gamma di applicazioni tra cui i motori a corrente continua, sistemi di gestione delle batterie, inverter e convertitori DC-DC.
Specifiche tecniche
Parametro Valore
Tipo di FET Canale N
Tecnologia MOSFET (ossido metallico)
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss) 75 V
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C 195A (Tc)
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.85mOhm @ 195A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs 570 nC @ 10 V
Vgs (Max) ± 20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 19230 pF @ 50 V
Dissipazione di potenza (Max) 520 W (Tc)
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Caratteristiche chiave
  • Ottimizzato per una maggiore disponibilità
  • Qualificazione del prodotto secondo JEDEC
  • Potenza di foratura standard del settore
  • Classificazione di alta corrente
Benefici per le prestazioni
  • Miglioramento della robustezza dei cancelli, delle valanghe e dei dV/dt dinamici
  • Capacità completamente caratterizzata e SOA di valanga
  • Capacità migliorata di diodo dV/dt e dI/dt
  • Costruzioni prive di piombo
Applicazioni
  • Rettifica sincrona ad alta efficienza in SMPS
  • Fornitura di energia ininterrotta
  • Commutazione di potenza ad alta velocità
  • Circuiti a commutazione dura e ad alta frequenza
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Domande frequenti
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Sì, tutti i prodotti sono originali, nuova importazione originale è il nostro scopo.
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Siamo una società certificata ISO 9001:2015 e membro di ERAI.
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Prodotto Tag:

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Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

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