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AON6407 Transistor MOSFET a canale P 30V a circuito integrato con corrente di scarico continua 32A in pacchetto 8-DFN

Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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AON6407 Transistor MOSFET a canale P 30V a circuito integrato con corrente di scarico continua 32A in pacchetto 8-DFN

AON6407 Transistor MOSFET a canale P 30V a circuito integrato con corrente di scarico continua 32A in pacchetto 8-DFN
AON6407 Transistor MOSFET a canale P 30V a circuito integrato con corrente di scarico continua 32A in pacchetto 8-DFN AON6407 Transistor MOSFET a canale P 30V a circuito integrato con corrente di scarico continua 32A in pacchetto 8-DFN

Grande immagine :  AON6407 Transistor MOSFET a canale P 30V a circuito integrato con corrente di scarico continua 32A in pacchetto 8-DFN

Dettagli:
Place of Origin: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Model Number: AON6407
Termini di pagamento e spedizione:
Minimum Order Quantity: 10
Prezzo: Contact for Sample
Packaging Details: 8-DFN
Delivery Time: 5-8 work days
Payment Terms: T/T,L/C,Western Union

AON6407 Transistor MOSFET a canale P 30V a circuito integrato con corrente di scarico continua 32A in pacchetto 8-DFN

Descrizione
Part Number: AON6407 FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 85A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Evidenziare:

Transistor MOSFET da tensione di scarico a sorgente da 30 V

,

Chip del circuito integrato con corrente di scarico continua da 32 A

,

MOSFET a canale P con pacchetto 8-DFN

Chip a circuito integrato AON6407 30V P-Channel MOSFET Transistor
MOSFET P-Channel avanzato in package 8-DFN con tecnologia trench e design a bassa resistenza per prestazioni ottimali in applicazioni di interruttori di carico e protezione della batteria.
Panoramica del prodotto
L'AON6407 combina l'avanzata tecnologia MOSFET trench con un package a bassa resistenza per fornire un RDS(ON) estremamente basso, rendendolo ideale per applicazioni di interruttori di carico e protezione della batteria.
Specifiche tecniche
Parametro Specifiche
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain-Source (Vdss) 30 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25°C 32A (Ta), 85A (Tc)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.6V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs 105 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±25V
Capacitanza di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3505 pF @ 15 V
Dissipazione di potenza (Max) 7.3W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Immagine del prodotto
AON6407 Transistor MOSFET a canale P 30V a circuito integrato con corrente di scarico continua 32A in pacchetto 8-DFN 0
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Codice articolo Package
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IPQ-8074-0-772FCBGA-TR-01-0 BGA
BCM6755A1KFEBG BGA
MT7921LE SMD
MT7921AU SMD
ESP32-C6 QFN
RK3568 BGA
A4989SLDTR-T 38-TFSOP
MPX5700A 6-SIP MODULE
MPX5700AS 6-SIP MODULE
MPX5700ASX 6-SIP MODULE
MPX5700D 6-SIP MODULE
MPX5700DP 6-SIP MODULE
MPX5700GP 6-SIP MODULE
MPX5700GP1 6-SIP MODULE
MPX5700GS 6-SIP MODULE
MPX5700AP 6-SIP MODULE
5M570ZT144C5N TQFP-144
5M240ZT100C5N TQFP-100
5M240ZT144C5N TQFP-144
5M240ZT144I5N TQFP-144
5M570ZT100I5N TQFP-100
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5M570ZM100I5N BGA-100
5M570ZT100C5N TQFP-100
5M2210ZF324C5N FBGA-324
5M2210ZF256I5N FBGA-256
Domande frequenti
I vostri prodotti sono originali?
Sì, tutti i prodotti sono originali, la nuova importazione originale è il nostro scopo.
Quali certificati avete?
Siamo un'azienda certificata ISO 9001:2015 e membri di ERAI.
Potete supportare ordini di piccole quantità o campioni? Il campione è gratuito?
Sì, supportiamo ordini di campioni e piccoli ordini. Il costo del campione varia in base all'ordine o ai requisiti del progetto.
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Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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