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MT29F1G08ABAEAH4:E Chip IC di memoria Flash NAND parallela da 1 Gbit con I/O asincrono in package VFBGA-63

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La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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Rassegne del cliente
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MT29F1G08ABAEAH4:E Chip IC di memoria Flash NAND parallela da 1 Gbit con I/O asincrono in package VFBGA-63

MT29F1G08ABAEAH4:E Chip IC di memoria Flash NAND parallela da 1 Gbit con I/O asincrono in package VFBGA-63
MT29F1G08ABAEAH4:E Chip IC di memoria Flash NAND parallela da 1 Gbit con I/O asincrono in package VFBGA-63

Grande immagine :  MT29F1G08ABAEAH4:E Chip IC di memoria Flash NAND parallela da 1 Gbit con I/O asincrono in package VFBGA-63

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: MT2F1G08ABAEAH4:E
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: VFBGA-63
Tempi di consegna: 5-8 giorni lavorativi
Termini di pagamento: T/T,L/C,Western Union
Contatto

MT29F1G08ABAEAH4:E Chip IC di memoria Flash NAND parallela da 1 Gbit con I/O asincrono in package VFBGA-63

Descrizione
Numero di parte: MT2F1G08ABAEAH4:E Dimensione della memoria:: 1 Gbit
Organizzazione:: 128 m. x 8 Larghezza bus dati:: 8 bit
Corrente di lettura attiva - Max:: 35 mA Tipo di temporizzazione:: Asincrono
Evidenziare:

1 Gbit di memoria IC chip

,

Pacchetto VFBGA-63 Memoria flash NAND

,

I/O asincrono parallelo NAND Flash

MT29F1G08ABAEAH4:E Chip IC di memoria
Memoria Flash NAND parallela da 1 Gbit nel package VFBGA-63
Panoramica del prodotto
L'MT29F1G08ABAEAH4:E è un dispositivo di memoria flash NAND parallela da 1 Gbit confezionato in VFBGA-63. Questa memoria ad alte prestazioni è dotata di un'interfaccia dati asincrona ottimizzata per operazioni I/O efficienti, che utilizza un bus a 8 bit altamente multiplexato (I/Ox) per il trasferimento di comandi, informazioni sull'indirizzo e dati.
Specifiche tecniche
Specifica Dettagli
Formato memoria FLASH
Tecnologia FLASH - NAND
Dimensione memoria 1 Gbit
Organizzazione della memoria 128M x 8
Interfaccia di memoria Parallela
Alimentazione 2,7 V ~ 3,6 V
Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA)
Caratteristiche principali
  • Conforme a Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.0
  • Tecnologia a celle a livello singolo (SLC)
  • Organizzazione della memoria avanzata:
    • Dimensione pagina x8: 2112 byte (2048 + 64 byte)
    • Dimensione pagina x16: 1056 parole (1024 + 32 parole)
    • Dimensione blocco: 64 pagine (128K + 4K byte)
    • Dimensione piano: 2 piani x 512 blocchi per piano
    • Dimensione dispositivo: 1 Gb: 1024 blocchi
  • Operazioni I/O asincrone ad alte prestazioni
  • Prestazioni array ottimizzate con tempi di lettura, programmazione e cancellazione rapidi
  • Set di comandi completo che supporta il protocollo NAND Flash ONFI
  • Funzionalità operative avanzate tra cui modalità cache e funzionalità OTP
  • Metodi hardware e software per il monitoraggio dello stato operativo
  • Funzionalità integrate di protezione da scrittura e spostamento dati
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Domande frequenti
I vostri prodotti sono originali?
Sì, tutti i prodotti sono originali. L'importazione originale nuova è il nostro principale obiettivo di business.
Quali certificati avete?
Siamo un'azienda certificata ISO 9001:2015 e membro di ERAI.
È possibile supportare ordini di piccole quantità o campioni? Il campione è gratuito?
Sì, supportiamo ordini di campioni e piccole quantità. Il costo del campione varia in base alle esigenze dell'ordine o all'ambito del progetto.
Come spedire il mio ordine? È sicuro?
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Possiamo spedire i pezzi a magazzino entro 5 giorni lavorativi. Per gli articoli non disponibili, confermeremo i tempi di consegna in base alla quantità dell'ordine.

Prodotto Tag:

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Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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