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W631GU6MB-11 Memory IC Chip 1 Gbit Parallel 933 MHz DDR3L SDRAM

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Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

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W631GU6MB-11 Memory IC Chip 1 Gbit Parallel 933 MHz DDR3L SDRAM

W631GU6MB-11 Memory IC Chip 1 Gbit Parallel 933 MHz DDR3L SDRAM
W631GU6MB-11 Memory IC Chip 1 Gbit Parallel 933 MHz DDR3L SDRAM

Grande immagine :  W631GU6MB-11 Memory IC Chip 1 Gbit Parallel 933 MHz DDR3L SDRAM

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: W631GU6MB-11
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: VFBGA-96
Tempi di consegna: 5-8 giorni lavorativi
Termini di pagamento: T/T,L/C,Western Union
Contatto

W631GU6MB-11 Memory IC Chip 1 Gbit Parallel 933 MHz DDR3L SDRAM

Descrizione
Numero di parte: W631GU6MB-11 Dimensione della memoria:: 1 Gbit
Larghezza bus dati:: 16 bit Frequenza massima dell'orologio:: 933 megahertz
Organizzazione:: 64 M x 16 Corrente di alimentazione - Max:: 240 mA
Evidenziare:

1 Gbit di memoria IC chip

,

SDRAM DDR3L da 933 MHz

,

Chip IC di memoria parallela

W631GU6MB-11 Chip di memoria IC
Memoria SDRAM 1Gbit parallela 933MHz DDR3L
Visualizzazione del prodotto
Il W631GU6MB-11 è una SDRAM 1Gbit DDR3L organizzata in 8,388Questo dispositivo di memoria ad alte prestazioni offre velocità di trasferimento fino a 2133 MT/s (DDR3L-2133) per diverse applicazioni industriali e informatiche.
Specifiche tecniche
Tipo di memoria Volatile
Formato di memoria DRAM
Tecnologia SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria 1Gbit
Organizzazione della memoria 64M x 16
Interfaccia della memoria Parallelamente
Frequenza dell'orologio 933 MHz
Tempo di accesso 20 ns
Fornitura di tensione 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di funzionamento 0°C ~ 95°C (TC)
Caratteristiche chiave
  • Fonte di alimentazione: 1,35V (tipico), VDD, VDDQ = 1,283V a 1,45V
  • Il dispositivo deve essere compatibile con il sistema VDD, VDDQ = 1,5V ± 0,075V
  • Architettura a doppio tasso di trasmissione dati: due trasferimenti di dati per ciclo di orologeria
  • Otto banche interne per il funzionamento simultaneo
  • Architettura prefetch a 8 bit
  • CAS latency: 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 13 e 14
  • Modi di lunghezza di scatto 8 (BL8) e di scatto 4 (BC4)
  • Ordine di lettura programmabile: sequenziale interlacciato o morso
  • Stroboscopi bidirezionali per dati differenziali (DQS e DQS#)
  • DLL allinea le transizioni DQ e DQS con l'orologio
  • Input di orologeria differenziale (CK e CK#)
  • CAS pubblicato con latenza additiva programmabile
  • Funzione di precarica automatica per le scosse di lettura e scrittura
  • Aggiornamento, auto-aggiornamento, auto-aggiornamento e auto-aggiornamento parziale dell'array
  • Disattivazione di carica e disattivazione attiva
  • Maschere di dati (DM) per la scrittura dei dati
  • La frequenza di scrittura di CAS programmabile (CWL) per frequenza di funzionamento
  • Registro multiuso per la taratura del sistema di sincronizzazione
  • Supporto alla taratura del tempo a livello di sistema tramite livellamento di scrittura
  • Calibrazione ZQ per driver di uscita e ODT
  • Pin ASINCRONO RESET# per l'inizializzazione
  • Sistema di controllo della velocità di rotazione
  • Modalità ODT dinamica per una migliore integrità del segnale
  • 2K Byte dimensione della pagina
  • VFBGA 96 confezione a sfera (7,5 x 13 mm2, spessore 1,0 mm)
  • Materiali senza piombo conformi alla RoHS
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Domande frequenti
I vostri prodotti sono originali?
Sì, tutti i prodotti sono originali, nuova importazione originale è il nostro scopo.
Quali certificati avete?
Siamo una società certificata ISO 9001:2015 e membro di ERAI.
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Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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