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Dettagli:
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| Numero di parte: | IRFP4468PBF | Vds - Tensione di rottura Drain-Source:: | 100 v |
|---|---|---|---|
| Id - Corrente di scarico continua:: | 290 A | Rds On - Resistenza Drain-Source:: | 2 mOhms |
| Vgs - Tensione gate-source:: | - 20 V, 20 V | Vgs th - Tensione di soglia gate-source:: | 1,8 V |
| Evidenziare: | MOSFET di potenza con tensione drain-source da 100 V,Chip del circuito integrato con corrente di scarico continua da 290 A,Resistenza Drain-Source StrongIRFET da 2 mOhm |
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| Parametro | Valore |
|---|---|
| Tipo di FET | Canale N |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain-Source (Vdss) | 100 V |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25°C | 195A (Tc) |
| Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6mOhm @ 180A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs | 540 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacitanza di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 19860 pF @ 50 V |
| Dissipazione di potenza (Max) | 520W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Codice articolo | Package |
|---|---|
| RTL8153B-VB-CG | QFN40 |
| NTMFS4C05NT1G | 5-DFN |
| NTMFS4C55NT1G | 5-DFN |
| LPC51U68JBD64 | LQFP-64 |
| LCMXO2-4000HC-4MG132C | BGA132 |
| LCMXO2-2000HC-4MG132C | CSBGA-132 |
| LCMXO2-2000HC-4BG256C | BGA256 |
| LCMXO2-1200HC-4MG132C | LFBGA132 |
| MX25L25673GM2I-08G | SOP8 |
| TDP158RSBR | WQFN-40 |
| ADE7913ARIZ | SOP20 |
| TUSB1002ARGER | VQFN24 |
| TAS5805MPWPR | HTSSOP28 |
| NCP51200MNTXG | QFN |
| ATSAMD21E17D-MFT | VQFN-32 |
| NCP451FCT2G | WLCSP6 |
| TPS568230RJER | VQFN20 |
| ICS-43432 | QFN |
| IR38365MTRPBF | 34-PowerVFQFN |
| IR38165MTRPBF | 24-PowerVFQFN |
| IR35412MTRPBF | 40-QFN |
| IR35401MTRPBF | QFN |
| IR35215MTRPBF | 40-QFN |
| IR35207MTRPBF | 40-QFN |
| NTMFS4C029NT1G | 40-QFN |
| ACPF-W060-TR1 | SMD |
| ACPF-W050-TR1 | SMD |
| MAX77654BENV+T | WLP30 |
| MAX17260SEWL+T | 9-WLP |
| NTMFS4C09NT1G | DFN-5 |
Persona di contatto: Sales Manager
Telefono: 86-13410018555
Fax: 86-0755-83957753