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SPP17N80C3 Chip di circuito integrato 800V CoolMOSTM Power Transistor TO-220-3 MOSFET di canale N 17A

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Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

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SPP17N80C3 Chip di circuito integrato 800V CoolMOSTM Power Transistor TO-220-3 MOSFET di canale N 17A

SPP17N80C3 Chip di circuito integrato 800V CoolMOSTM Power Transistor TO-220-3 MOSFET di canale N 17A
SPP17N80C3 Chip di circuito integrato 800V CoolMOSTM Power Transistor TO-220-3 MOSFET di canale N 17A SPP17N80C3 Chip di circuito integrato 800V CoolMOSTM Power Transistor TO-220-3 MOSFET di canale N 17A

Grande immagine :  SPP17N80C3 Chip di circuito integrato 800V CoolMOSTM Power Transistor TO-220-3 MOSFET di canale N 17A

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: SPP17N80C3
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: TO-220-3
Tempi di consegna: 5-8 giorni lavorativi
Termini di pagamento: T/T,L/C,Western Union
Contatto

SPP17N80C3 Chip di circuito integrato 800V CoolMOSTM Power Transistor TO-220-3 MOSFET di canale N 17A

Descrizione
Numero di parte: SPP17N80C3 Vds - Tensione di rottura Drain-Source: 800 V
Id - Corrente di scarico continua: 17 A Rds On - Resistenza Drain-Source: 290 mOhms
Qg - Carica di gate: 88 nC Pd - Dissipazione di potenza: 227 W
Evidenziare:

Chip a circuito integrato 800V

,

Transistor di potenza da 17 A

,

MOSFET CoolMOS™

SPP17N80C3 Chip a circuito integrato 800V CoolMOS™ Power Transistor
L'SPP17N80C3 è un transistor MOSFET di potenza a canale N CoolMOS™ da 800 V nel package TO-220-3, progettato per applicazioni di potenza ad alta tensione con caratteristiche di prestazioni eccezionali.
Specifiche tecniche
Parametro Valore
Serie CoolMOS™
Tipo FET Canale N
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain-Source (Vdss) 800 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25°C 17A (Tc)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 290mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 1mA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs 177 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V
Capacitanza di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2320 pF @ 25 V
Dissipazione di potenza (Max) 208W (Tc)
Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Package del dispositivo del fornitore PG-TO220-3-1
Package / Case TO-220-3
Caratteristiche principali
  • Nuova tecnologia ad alta tensione rivoluzionaria
  • Miglior RDS(on) al mondo nel package TO-220
  • Carica di gate ultra bassa per una commutazione efficiente
  • Valutato per valanga periodica per prestazioni robuste
  • Valutato dv/dt estremo per applicazioni ad alta velocità
  • Capacitanze effettive ultra basse
  • Caratteristiche di transconduttanza migliorate
  • PG-TO-220-3-31: Package completamente isolato (2500 VAC; 1 minuto)
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Codice articolo Package
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MC56F84769VLL LQFP100
Domande frequenti
I vostri prodotti sono originali?
Sì, tutti i prodotti sono originali. L'importazione originale nuova è il nostro scopo.
Quali certificati avete?
Siamo un'azienda certificata ISO 9001:2015 e membro di ERAI.
È possibile supportare ordini di piccole quantità o campioni? Il campione è gratuito?
Sì, supportiamo ordini di campioni e piccoli ordini. Il costo del campione varia in base all'ordine o ai requisiti del progetto.
Come spedire il mio ordine? È sicuro?
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Prodotto Tag:

Chip 24-PQFN del circuito integrato,

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Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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