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CYEL18V2562-200BKXE Memory IC Chip 256 MBit Pseudostatic RAM con 1.8 V di tensione operativa e 200 MHz di frequenza di interfaccia

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Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

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CYEL18V2562-200BKXE Memory IC Chip 256 MBit Pseudostatic RAM con 1.8 V di tensione operativa e 200 MHz di frequenza di interfaccia

CYEL18V2562-200BKXE Memory IC Chip 256 MBit Pseudostatic RAM con 1.8 V di tensione operativa e 200 MHz di frequenza di interfaccia
CYEL18V2562-200BKXE Memory IC Chip 256 MBit Pseudostatic RAM con 1.8 V di tensione operativa e 200 MHz di frequenza di interfaccia CYEL18V2562-200BKXE Memory IC Chip 256 MBit Pseudostatic RAM con 1.8 V di tensione operativa e 200 MHz di frequenza di interfaccia

Grande immagine :  CYEL18V2562-200BKXE Memory IC Chip 256 MBit Pseudostatic RAM con 1.8 V di tensione operativa e 200 MHz di frequenza di interfaccia

Dettagli:
Place of Origin: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Model Number: CYEL18V2562-200BKXE
Termini di pagamento e spedizione:
Minimum Order Quantity: 10
Prezzo: Contact for Sample
Packaging Details: PG-BGA-24
Delivery Time: 3-5 work days
Payment Terms: T/T
Supply Ability: 10000 Pieces per Day
Contatto

CYEL18V2562-200BKXE Memory IC Chip 256 MBit Pseudostatic RAM con 1.8 V di tensione operativa e 200 MHz di frequenza di interfaccia

Descrizione
Part Number: CYEL18V2562-200BKXE Package: PG-BGA-24
Density: 256 MBit Operating Temperature: -40 °C to 125 °C
Operating Voltage: 1.8 V Interface Frequency: 200MHz
Evidenziare:

Chip IC di memoria da 256 MBit

,

RAM pseudostatica da 1

,

8 V

CYEL18V2562-200BKXE Chip IC di memoria
Memoria RAM pseudostatica a bassa potenza ad alta larghezza di banda
Visualizzazione del prodotto
Il dispositivo CYEL18V2562-200BKXE 256 Mb pSRAM è una DRAM CMOS ad alta velocità, auto-aggiornamento con interfaccia HYPERBUSTM.La logica di controllo di aggiornamento all'interno del dispositivo gestisce le operazioni di aggiornamento sulla matrice DRAM quando la memoria non viene attivamente letta o scritta dal master di interfaccia HYPERBUSTM (host). Poiché l'host non è tenuto a gestire le operazioni di aggiornamento, l'array DRAM appare all'host come se la memoria utilizzasse celle statiche che conservano i dati senza aggiornamento,rendendola accuratamente descritta come RAM pseudo statica (PSRAM).
Specificità
Densità 256 MBit
Famiglia KS-2
Frequenza di interfaccia (SDR/DDR) - / 200 MHz
Interfacce Iperbus
Finitura a sfera di piombo Sn/Ag/Cu
Temperatura di funzionamento -40 °C a 125 °C
Tensione di funzionamento 1.8 V
Pacco PG-BGA-24
Qualificazione Autoveicoli
Caratteristiche chiave
  • Densità di 256 Mbit
  • Interfaccia x8 HYPERBUSTM
  • 200 MHz per canale
  • Fino a 1,6 Gbps di capacità di trasmissione
  • Scelta a singolo chip
  • Temperatura di funzionamento da -400 °C a +1250 °C
  • FBGA a 24 palline con basso numero di punti
  • 100Krad (Si) TID
Benefici per la qualità e la conformità
  • Certificato AEC-Q100
  • Compatibile con la ROHS
  • Codice della data del lotto unico (SLDC)
  • Copertura elettrica del 100%
  • Certificato di conformità (CoC)
  • Test di accettazione del lotto di radiazioni (TID)
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Domande frequenti
I vostri prodotti sono originali?
Sì, tutti i prodotti sono originali.
Quali certificati avete?
Siamo una società certificata ISO 9001:2015 e membro di ERAI.
Puoi supportare un ordine o un campione in piccole quantità? Il campione è gratuito?
Sì, supportiamo ordini di campione e piccoli ordini. Il costo del campione varia a seconda del vostro ordine o delle esigenze del progetto.
Come spedisco il mio ordine?
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Prodotto Tag:

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Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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