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IPAW60R280P7S 600V 12A CoolMOSTM P7 Superjunction MOSFET Transistor Integrated Circuit Chip

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Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

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IPAW60R280P7S 600V 12A CoolMOSTM P7 Superjunction MOSFET Transistor Integrated Circuit Chip

IPAW60R280P7S 600V 12A CoolMOSTM P7 Superjunction MOSFET Transistor Integrated Circuit Chip
IPAW60R280P7S 600V 12A CoolMOSTM P7 Superjunction MOSFET Transistor Integrated Circuit Chip

Grande immagine :  IPAW60R280P7S 600V 12A CoolMOSTM P7 Superjunction MOSFET Transistor Integrated Circuit Chip

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: IPAW60R280P7S
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: TO-220-3
Tempi di consegna: 5-8 giorni lavorativi
Termini di pagamento: T/T,L/C,Western Union
Contatto

IPAW60R280P7S 600V 12A CoolMOSTM P7 Superjunction MOSFET Transistor Integrated Circuit Chip

Descrizione
Numero di parte: IPAW60R280P7S ID (@25°C) max: 12A
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss): 600 V Dissipazione di potenza (max): 24 W (Tc)
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Temperatura operativa: -40 °C a °C 150
Evidenziare:

Transistor MOSFET da drenaggio a sorgente da 600 V

,

Chip del circuito integrato con corrente di scarico continua da 12 A

,

Tecnologia di supergiunzione CoolMOS™ P7

IPAW60R280P7S chip di circuito integrato 600V CoolMOSTM P7 Superjunction MOSFET transistor
L'IPAW60R280P7S è un transistor MOSFET a supergiunzione CoolMOSTM P7 da 600 V, che rappresenta il successore della serie CoolMOSTM P6 da 600 V.Questo componente avanzato bilancia gli elevati requisiti di efficienza con la facilità di utilizzo del processo di progettazione, con il miglior R della sua categoriasux A e carica intrinsecamente bassa del cancello (QG.) dalla piattaforma CoolMOSTM di settima generazione.
Specifiche tecniche
Parametro Valore
Serie CoolMOSTM P7
Tipo di FET Canale N
Tecnologia MOSFET (ossido metallico)
Voltaggio di scarico alla fonte (V)dss) 600 V
Corrente di scarico continua (I)d) @ 25°C 12A (T)c)
Voltaggio dell'unità (max R)DsAvanti, Min R.Ds(Innescato) 10V
RDsSu (Max) @ Id, Vgs 280mΩ @ 3,8A, 10V
V.gs(th)(Max) @ Id 4V @ 190μA
Cargo di porta (Q)g) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V
V.gs(Max) ± 20V
Capacità di ingresso (C)iss) (Max) @ VDs 761 pF @ 400 V
Dissipazione di potenza (Max) 24W (T)c)
Temperatura di funzionamento -40°C ~ 150°C (T)J.)
Tipo di montaggio Attraverso il buco
Confezione del dispositivo del fornitore PG-TO220-FP
Confezione / Cassa TO-220-3 confezione completa
Caratteristiche chiave
  • 600V P7 consente un eccellente FOM RDispositivo:x Eosse RDispositivo:x QG.
  • robustezza ESD ≥ 2kV (classe HBM 2)
  • Resistenza di porta integrata RG.
  • Diodo di carrozzeria robusto
  • Ampio portafoglio di pacchetti di montaggio attraverso buchi e superfici
  • Disponibili sia parti di qualità standard che di qualità industriale
Benefici per le prestazioni
  • Ottime FOM RDispositivo:x QG./RDispositivo:x Eossconsentire una maggiore efficienza
  • Miglioramento della facilità d'uso nella progettazione e nell'attuazione
  • La protezione ESD previene i guasti negli ambienti produttivi
  • R integrataG.riduce la sensibilità di oscillazione del MOSFET
  • Adatto sia per le topologie di commutazione rigide che per quelle a risonanza, inclusi PFC e LLC
  • Eccellente robustezza durante la commutazione dura del diodo del corpo in topologia LLC
  • Applicazione versatile per vari usi finali e potenze di uscita
  • Parti disponibili per applicazioni sia di consumo che industriali
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Domande frequenti
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Sì, tutti i prodotti sono originali.
Quali certificati avete?
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Prodotto Tag:

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ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

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