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IPP60R180P7 600V N-Channel CoolMOSTM P7 Power MOSFET Transistor con corrente di scarico continua 18A

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Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

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IPP60R180P7 600V N-Channel CoolMOSTM P7 Power MOSFET Transistor con corrente di scarico continua 18A

IPP60R180P7 600V N-Channel CoolMOSTM P7 Power MOSFET Transistor con corrente di scarico continua 18A
IPP60R180P7 600V N-Channel CoolMOSTM P7 Power MOSFET Transistor con corrente di scarico continua 18A IPP60R180P7 600V N-Channel CoolMOSTM P7 Power MOSFET Transistor con corrente di scarico continua 18A

Grande immagine :  IPP60R180P7 600V N-Channel CoolMOSTM P7 Power MOSFET Transistor con corrente di scarico continua 18A

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: IPP60R180P7
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: PG-TO220-3
Tempi di consegna: 5-8 giorni lavorativi
Termini di pagamento: T/T,L/C,Western Union
Contatto

IPP60R180P7 600V N-Channel CoolMOSTM P7 Power MOSFET Transistor con corrente di scarico continua 18A

Descrizione
Numero di parte: IPP60R180P7 Tipo FET: N-channel
Tecnologia: MOSFET (ossido di metallo) Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss): 650 v
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 18A (TC) Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato): 10v
Evidenziare:

Transistor MOSFET di potenza da 600 V

,

CoolMOS™ P7 a canale N

,

Chip del circuito integrato a drenaggio continuo da 18 A

IPP60R180P7 chip di circuito integrato N-Channel 600V CoolMOSTM P7 Power MOSFET Transistor
L'IPP60R180P7 600V CoolMOSTM P7 è il successore della serie 600V CoolMOSTM P6, che bilancia i requisiti di elevata efficienza con la facilità di utilizzo del processo di progettazione.suxA e carica intrinsecamente bassa del cancello (QG.) della piattaforma CoolMOSTM di settima generazione, questo transistor garantisce prestazioni ed efficienza eccezionali.
Specifiche tecniche
Parametro Valore
Tipo di FET Canale N
Tecnologia MOSFET (ossido metallico)
Voltaggio di scarico alla fonte (V)dss) 650 V
Corrente - scarico continuo (I)d) @ 25°C 18A (T)c)
Voltaggio dell'unità (max R)DsAvanti, Min R.Ds(Innescato) 10V
RDsSu (Max) @ Id, Vgs 180mΩ @ 5,6A, 10V
V.gs(th)(Max) @ Id 4V @ 280μA
Cargo di porta (Q)g) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V
V.gs(Max) ± 20V
Capacità di ingresso (C)iss) (Max) @ VDs 1081 pF @ 400 V
Dissipazione di potenza (Max) 72W (T)c)
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (T)J.)
Caratteristiche chiave
  • Tecnologia della serie CoolMOSTM 7
  • Progettazione di una porta a carica ridotta
  • Basso livello di energia immagazzinata in COSS
  • Resistenza di porta integrata
  • Qualità CoolMOSTM provata sul campo
  • Tecnologia CoolMOSTM dal 1998
Benefici per le prestazioni
  • Capacità di controllo migliorate
  • Alta efficienza nelle applicazioni di hard switching
  • Maggiore densità di potenza
  • Adatto sia per le topologie dure che per quelle risonanti
Applicazioni
  • Adaptatori e caricatori
  • Strumenti elettrici senza fili e apparecchiature elettriche per esterni
  • Electronica per la salute e lo stile di vita
  • Soluzioni di alimentazione elettrica per ferrovie DIN
  • Convertitore di bus intermedio (IBC) da 48 V
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Domande frequenti
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Sì, tutti i prodotti sono originali, nuova importazione originale è il nostro scopo.
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Prodotto Tag:

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Dettagli di contatto
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