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IQEH50NE2LM7ZCG OptiMOSTM 7 Potenza MOSFET Transistor con 25V di scarico-sorgente di tensione 54A corrente di scarico continua e 150W di dissipazione di potenza

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Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

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IQEH50NE2LM7ZCG OptiMOSTM 7 Potenza MOSFET Transistor con 25V di scarico-sorgente di tensione 54A corrente di scarico continua e 150W di dissipazione di potenza

IQEH50NE2LM7ZCG OptiMOSTM 7 Potenza MOSFET Transistor con 25V di scarico-sorgente di tensione 54A corrente di scarico continua e 150W di dissipazione di potenza
IQEH50NE2LM7ZCG OptiMOSTM 7 Potenza MOSFET Transistor con 25V di scarico-sorgente di tensione 54A corrente di scarico continua e 150W di dissipazione di potenza

Grande immagine :  IQEH50NE2LM7ZCG OptiMOSTM 7 Potenza MOSFET Transistor con 25V di scarico-sorgente di tensione 54A corrente di scarico continua e 150W di dissipazione di potenza

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: IQEH50NE2LM7ZCG
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: PG-TTFN-9-3
Tempi di consegna: 5-8 giorni lavorativi
Termini di pagamento: T/T,L/C,Western Union
Contatto

IQEH50NE2LM7ZCG OptiMOSTM 7 Potenza MOSFET Transistor con 25V di scarico-sorgente di tensione 54A corrente di scarico continua e 150W di dissipazione di potenza

Descrizione
Numero di parte: IQEH50NE2LM7ZCG Polarità del transistor: N-channel
Vds - Tensione di rottura Drain-Source: 25 V Id - Corrente di scarico continua: 422 A
Pd - Dissipazione di potenza: 150 w Qg - Carica di gate: 29 n.C.
Evidenziare:

Transistor MOSFET di potenza con tensione Drain-Source di 25V

,

Transistor MOSFET di potenza con corrente di scarico continuo da 54 A

,

Transistor MOSFET di potenza con dissipazione di potenza da 150 W

Chip di circuito integrato IQEH50NE2LM7ZCG OptiMOSTM 7 N-Channel 25V 54A Potenza MOSFET Transistor
Visualizzazione del prodotto

IQEH50NE2LM7ZCG è un transistor OptiMOSTM 7 N-Channel 25V 54A Power MOSFET.Infrastrutture dell'IA, e altre applicazioni impegnative.

Specifiche tecniche
Tipo di FETCanale N
TecnologiaMOSFET (ossido metallico)
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss)25 V
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C54A (Ta), 422A (Tc)
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs0.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id1.7V @ 432μA
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs63 nC @ 10 V
Vgs (Max)± 12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds6100 pF @ 12 V
Dissipazione di potenza (Max)2.5W (Ta), 150W (Tc)
Temperatura di funzionamento-55°C ~ 175°C (TJ)
Caratteristiche chiave
  • Ottimizzazioni di commutazione dura e morbida
  • Interruttore a forza: rapporto Miller, FOM, RDS ((on) 10)
  • Commutazione morbida: RDS ((on) 45, FOMQg
  • Temperatura nominale di giunzione +175°C
  • Varianti del pacchetto basato sulla fonte
  • Impressione del cancello centrale, DSC sovramoltiplicato
Benefici per le prestazioni
  • Ottimizzazione specifica dell'applicazione
  • Miglioramento dell'efficienza delle prestazioni
  • Robustezza di accensione indotta avanzata
  • Riduzione delle perdite di guida e di cambio
  • Perdite di conduzione ridotte
  • Maggiore affidabilità e densità di potenza
  • Capacità termiche superiori
  • Parassiti a confezione ridotta
  • Parallelizzazione semplificata dei MOSFET
Applicazioni mirate
  • Soluzioni per data center e AI
  • Convertitore di bus intermedio a 48 V (IBC)
  • Infrastrutture di telecomunicazione
  • Sistemi di conversione di potenza
  • Unità di alimentazione del server (PSU)
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Domande frequenti
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Sì, tutti i prodotti sono originali.
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Prodotto Tag:

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