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ISC016N06NM5SC Chip di circuito integrato 60V OptiMOSTM 5 Power MOSFET Transistor con corrente 249A e resistenza 1,6 mΩ

Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
Rassegne del cliente
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—— Nishikawa dal Giappone

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ISC016N06NM5SC Chip di circuito integrato 60V OptiMOSTM 5 Power MOSFET Transistor con corrente 249A e resistenza 1,6 mΩ

ISC016N06NM5SC Chip di circuito integrato 60V OptiMOSTM 5 Power MOSFET Transistor con corrente 249A e resistenza 1,6 mΩ
ISC016N06NM5SC Chip di circuito integrato 60V OptiMOSTM 5 Power MOSFET Transistor con corrente 249A e resistenza 1,6 mΩ

Grande immagine :  ISC016N06NM5SC Chip di circuito integrato 60V OptiMOSTM 5 Power MOSFET Transistor con corrente 249A e resistenza 1,6 mΩ

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: ISC016N06NM5SC
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: PG‑WSON‑8
Tempi di consegna: 5-8 giorni lavorativi
Termini di pagamento: T/T,L/C,Western Union

ISC016N06NM5SC Chip di circuito integrato 60V OptiMOSTM 5 Power MOSFET Transistor con corrente 249A e resistenza 1,6 mΩ

Descrizione
Numero di parte: ISC016N06NM5SC ID (@25°C) max: 249A
QG (tipo @10V): 74 nC RDS (acceso) (@10V) max: 1,6 mΩ
Vds massimo: 60 V Pacchetto: PG‑WSON‑8
Evidenziare:

Chip a circuito integrato 60V

,

Transistor MOSFET di potenza 249A

,

OptiMOS™ 5 da 1

ISC016N06NM5SC Chip di circuito integrato 60V OptiMOSTM 5 Power MOSFET Transistor
L'ISC016N06NM5SC è un transistor MOSFET a 5 potenze OptiMOSTM a 60 V in pacchetto PG-WSON-8, progettato per applicazioni di potenza ad alte prestazioni con eccezionale efficienza e affidabilità.
Specificativi del prodotto
  • Tensione massima della fonte di scarico (VDS): 60V
  • Corrente di scarico massima (ID @ 25°C): 249A
  • Pacchetto: PG-WSON-8
  • Carica totale della porta (QG tipo @10V): 74nC
  • Resistenza massima di accensione (RDS(on) @10V): 1,6 mΩ
Caratteristiche chiave
  • MOSFET a canale N a livello normale
  • RDS (on) a resistenza molto bassa per ridurre le perdite di potenza
  • Resistenza termica superiore per una maggiore dissipazione del calore
  • Test di affidabilità al 100% in avalanche
  • Pb-free lead plating; conforme alla normativa RoHS
  • Non contenenti alogeni secondo le norme IEC 61249-2-21
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Numero della parte Pacco
Si1151-AB09-GMRDFN-10
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MAYA-W166-01B86-SMD
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ZED-F9T-10B-0154-LGA
ZED-F9T-10B-0054-LGA
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Domande frequenti
I vostri prodotti sono originali?
Sì, tutti i prodotti sono originali. Fornire nuovi componenti originali importati è il nostro scopo principale.
Quali certificati avete?
Siamo una società certificata ISO 9001:2015 e un membro attivo di ERAI.
Puoi supportare ordini o campioni in piccole quantità? Il campione è gratuito?
Sì, supportiamo gli ordini di campioni e gli acquisti in piccole quantità.
Come spedi il mio ordine?
Utilizziamo i principali vettori espressi tra cui DHL, FedEx, UPS, TNT ed EMS. Possiamo anche utilizzare il vostro spedizioniere preferito. Tutti i prodotti sono accuratamente confezionati per garantire la sicurezza durante il trasporto,e ci assumiamo la piena responsabilità per eventuali danni al vostro ordine.
Qual e' il tempo di consegna?
In genere spediamo le parti in magazzino entro 5 giorni lavorativi. Per gli articoli non attualmente in magazzino, confermeremo il tempo di consegna in base alla quantità dell'ordine.

Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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