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IQE031N08LM6CGSC Chip di circuito integrato N-Channel 80V OptiMOSTM 6 Power MOSFET con dissipazione di potenza di 125W

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Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

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IQE031N08LM6CGSC Chip di circuito integrato N-Channel 80V OptiMOSTM 6 Power MOSFET con dissipazione di potenza di 125W

IQE031N08LM6CGSC Chip di circuito integrato N-Channel 80V OptiMOSTM 6 Power MOSFET con dissipazione di potenza di 125W
IQE031N08LM6CGSC Chip di circuito integrato N-Channel 80V OptiMOSTM 6 Power MOSFET con dissipazione di potenza di 125W

Grande immagine :  IQE031N08LM6CGSC Chip di circuito integrato N-Channel 80V OptiMOSTM 6 Power MOSFET con dissipazione di potenza di 125W

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: IQE031N08LM6CGSC
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: PG-WHTFN-9
Tempi di consegna: 5-8 giorni lavorativi
Termini di pagamento: T/T,L/C,Western Union
Contatto

IQE031N08LM6CGSC Chip di circuito integrato N-Channel 80V OptiMOSTM 6 Power MOSFET con dissipazione di potenza di 125W

Descrizione
Numero di parte: IQE031N08LM6CGSC Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss): 80 V
Temperatura operativa minima:: - 55 C Temperatura operativa massima:: + 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:: 125 W Transconduttanza diretta - Min:: 55 s
Evidenziare:

MOSFET di potenza da 80 V

,

Chip del circuito integrato di dissipazione di potenza da 125 W

,

OptiMOS™ 6 a canale N

IQE031N08LM6CGSC chip di circuito integrato a canale N 80V OptiMOSTM 6 Power MOSFET transistor
Visualizzazione del prodotto
IQE031N08LM6CGSC è il nuovo miglior livello logico di MOSFET 80 V OptiMOSTM 6 di potenza di Infineon in PQFN 3.3x3.3 Source-Down Center-Gate (CG) dual-side cooling (DSC),offrendo la resistenza RDS (on) più bassa del settore a 25 ̊C, prestazioni termiche superiori e parallelizzazione ottimizzata.
Specifiche tecniche
Parametro Valore
Tipo di FET Canale N
Tecnologia MOSFET (ossido metallico)
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss) 80 V
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C 18A (Ta), 127A (Tc)
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.15mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 50,8μA
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V
Vgs (Max) ± 20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4600 pF @ 40 V
Dissipazione di potenza (Max) 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Caratteristiche chiave
  • Il livello logico consente Qrr e QOSS più bassi
  • Center Gate ottimizzato per la parallelazione
  • Fino a un 35% in meno di RDS ((on) rispetto alla precedente generazione
  • Nuove possibilità di layout ottimizzate
Benefici per le prestazioni
  • Consente la massima densità di potenza e prestazioni
  • Prestazioni termiche superiori
  • Disponibilità efficiente per l'uso dello spazio
  • Parallelizzazione MOSFET semplificata
  • Miglioramento delle perdite di PCB
Applicazioni
  • Convertitore di bus intermedio a 48 V (IBC)
  • Infrastrutture di telecomunicazione
Componenti correlati in magazzino
Numero della parte Pacco
ISOUSB211DPR 28-SSOP
TPS25859QRPQRQ1 25-VQFN
TPS25868QRPQRQ1 25-VQFN
TPS25846QCWRHBRQ1 32 VQFN
TPS25833QCWRHBRQ1 32 VQFN
TPS25852QRPQRQ1 25-VQFN
TPS25831QWRHBRQ1 32 VQFN
TPS25762CAQRQLRQ1 29-VQFN
TPS25730SRSMR 32 VQFN
TUSB211ARWBR 12-XFQFN
TUSB211AIRWBR 12-X2QFN
TPS25730DREFR Numero di riferimento:
TPD3S713AQRVCRQ1 20 WQFN
TUSB2E22RZAR 20-VQFN
AM6421BSDGHAALVR 441-FCBGA
AM6442BSEGHAALV 441-FCBGA
AM6251ATCGHAALW 425-FCCSP
DRA821U4TGBALMR 433-FCBGA
DRA821U2CGBALMR 433-FCBGA
AM6254ATGFHIAMCRQ1 441-FCBGA
LMK1D1216RGZR 48-VQFN
LMK1C1108PWR 16-TSSOP
2EDN7534R TSSOP-8
2EDF7275K TFLGA-13
2EDN8534R TSSOP-8
2ED2101S06F DSO-8
TDA21590 QFN-39
2EDN7533R TSSOP-8
1ED3461MC12M DSO-16
2EDN7434R TSSOP-8
Domande frequenti
D. I vostri prodotti sono originali?
A: Sì, tutti i prodotti sono originali, nuova importazione originale è il nostro scopo.
D: Quali certificati ha?
R: Siamo una società certificata ISO 9001:2015 e membro di ERAI.
D: Potete supportare un ordine o un campione di piccole quantità?
R: Sì, supportiamo l'ordine di campione e il piccolo ordine. Il costo del campione è diverso a seconda del tuo ordine o progetto.
D: Come spedisco il mio ordine?
A: usiamo l'espresso per spedire, come DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Possiamo anche utilizzare il vostro spedizioniere suggerito.I prodotti saranno in buona confezione e garantire la sicurezza e siamo responsabili per i danni prodotti al vostro ordine.
D: Che mi dici del tempo di consegna?
R: Possiamo spedire le parti in magazzino entro 5 giorni lavorativi. Se senza magazzino, confermeremo il tempo di consegna per te in base alla quantità dell'ordine.

Prodotto Tag:

Chip 24-PQFN del circuito integrato,

Lineare a doppio canale di TUSB1002ARGER,

Chip integrati QFN24

Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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