|
Dettagli:
|
| Numero di parte: | IQE031N08LM6CG | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss): | 80 V |
|---|---|---|---|
| Temperatura operativa minima:: | - 55 C | Temperatura operativa massima:: | + 175 C |
| Pd - Dissipazione di potenza:: | 125 W | Transconduttanza diretta - Min:: | 55 s |
| Evidenziare: | MOSFET di potenza con tensione drain-source da 80 V,Transistor di corrente a drenaggio continuo da 127 A,Chip del circuito integrato con resistenza drain-source da 3 |
||
| Parametro | Valore |
|---|---|
| Polarità del transistor | Canale N |
| Numero di canali | 1 canale |
| Vds - Tensione di rottura della fonte di scarico | 80 V |
| Id - Corrente di scarico continua | 127 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 3.15 mOhms |
| Vgs - Tensione della sorgente di porta | 20 V. |
| Vgs th - tensione di soglia della sorgente di porta | 2.3 V |
| Qg - Carico di porta | 26 n.C. |
| Temperatura minima di funzionamento | -55°C |
| Temperatura massima di funzionamento | +175°C |
| Pd - Dissipazione di potenza | 125 W |
| Numero della parte | Pacco |
|---|---|
| ISOUSB211DPR | 28-SSOP |
| TPS25859QRPQRQ1 | 25-VQFN |
| TPS25868QRPQRQ1 | 25-VQFN |
| TPS25846QCWRHBRQ1 | 32 VQFN |
| TPS25833QCWRHBRQ1 | 32 VQFN |
| TPS25852QRPQRQ1 | 25-VQFN |
| TPS25831QWRHBRQ1 | 32 VQFN |
| TPS25762CAQRQLRQ1 | 29-VQFN |
| TPS25730SRSMR | 32 VQFN |
| TUSB211ARWBR | 12-XFQFN |
| TUSB211AIRWBR | 12-X2QFN |
| TPS25730DREFR | Numero di riferimento: |
| TPD3S713AQRVCRQ1 | 20 WQFN |
| TUSB2E22RZAR | 20-VQFN |
| AM6421BSDGHAALVR | 441-FCBGA |
| AM6442BSEGHAALV | 441-FCBGA |
| AM6251ATCGHAALW | 425-FCCSP |
| DRA821U4TGBALMR | 433-FCBGA |
| DRA821U2CGBALMR | 433-FCBGA |
| AM6254ATGFHIAMCRQ1 | 441-FCBGA |
| LMK1D1216RGZR | 48-VQFN |
| LMK1C1108PWR | 16-TSSOP |
| 2EDN7534R | TSSOP-8 |
| 2EDF7275K | TFLGA-13 |
| 2EDN8534R | TSSOP-8 |
| 2ED2101S06F | DSO-8 |
| TDA21590 | QFN-39 |
| 2EDN7533R | TSSOP-8 |
| 1ED3461MC12M | DSO-16 |
| 2EDN7434R | TSSOP-8 |
Persona di contatto: Sales Manager
Telefono: 86-13410018555
Fax: 86-0755-83957753