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ISC060N06NM6 60V 62A N-Channel OptiMOSTM 6 Potenza MOSFET Transistor Chip di circuito integrato PG-TDSON-8

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Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

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ISC060N06NM6 60V 62A N-Channel OptiMOSTM 6 Potenza MOSFET Transistor Chip di circuito integrato PG-TDSON-8

ISC060N06NM6 60V 62A N-Channel OptiMOSTM 6 Potenza MOSFET Transistor Chip di circuito integrato PG-TDSON-8
ISC060N06NM6 60V 62A N-Channel OptiMOSTM 6 Potenza MOSFET Transistor Chip di circuito integrato PG-TDSON-8

Grande immagine :  ISC060N06NM6 60V 62A N-Channel OptiMOSTM 6 Potenza MOSFET Transistor Chip di circuito integrato PG-TDSON-8

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: ISC060N06NM6
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: PG-TDSON-8
Tempi di consegna: 5-8 giorni lavorativi
Termini di pagamento: T/T,L/C,Western Union
Contatto

ISC060N06NM6 60V 62A N-Channel OptiMOSTM 6 Potenza MOSFET Transistor Chip di circuito integrato PG-TDSON-8

Descrizione
Numero di parte: ISC060N06NM6 Polarità del transistor: N-channel
Vds - Tensione di rottura Drain-Source: 60 V ID (@25°C) max: 62 A
QG (tipo @10V): 12,4 nC Temperatura operativa: Da -55°C a 175°C
Evidenziare:

Transistor MOSFET di potenza 60V

,

Transistor MOSFET di potenza da 62 A

,

OptiMOS™ 6 a canale N

ISC060N06NM6 Chip di circuito integrato
60V 62A Transistor OptiMOSTM 6 Power MOSFET nel pacchetto PG-TDSON-8
Visualizzazione del prodotto
L'ISC060N06NM6 è un transistor MOSFET di alta prestazione 60V, 62A OptiMOSTM 6 Power confezionato in PG-TDSON-8, progettato per un'efficienza energetica e affidabilità superiori nelle applicazioni industriali.
Specifiche tecniche
Serie OptiMOSTM 6 Power-Transistor
Tipo di FET Canale N
Tecnologia MOSFET (ossido metallico)
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss) 60 V
Corrente - scarico continuo (Id) 40A (Ta), 344A (Tc)
Voltaggio dell'unità 8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.9mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.3V @ 118μA
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs 121 nC @ 10 V
Vgs (Max) ± 20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 8300 pF @ 30 V
Dissipazione di potenza (Max) 3W (Ta), 221W (Tc)
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Montaggio superficiale
Confezione del dispositivo del fornitore PG-WSON-8-2
Confezione / Cassa 8-PowerWDFN
Caratteristiche chiave
  • Tecnologia del silicio ad alte prestazioni
  • Optimizato il commutazione morbida
  • Azionamento del cancello a livello normale
  • 175°C nominale
  • Qualificazione industriale
Benefici per le prestazioni
  • Perdite di conduzione inferiori a quelle di OptiMOSTM 5
  • Perdite di commutazione inferiori rispetto a OptiMOSTM 5
  • Miglioramento dell'efficienza delle prestazioni
  • Capacità di gestione della potenza superiore
  • Performance affidabili e robuste
Applicazioni principali
  • General purpose motor drive
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Sì, tutti i prodotti sono originali, nuova importazione originale è il nostro scopo.
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Prodotto Tag:

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Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

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Fax: 86-0755-83957753

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