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Dettagli:
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| Numero di parte: | IPDQ60R055CM8 | ID (@ TC=25°C) max: | 45 A |
|---|---|---|---|
| ID (@25°C) max: | 45 A | IDpuls (@25°C) max: | 148 A |
| RDS (acceso) (@ Tj = 25°C): | 45,83315 mΩ | Ptot (@25°C) massimo: | 236 W |
| Evidenziare: | Transistor MOSFET di potenza da 600 V,Chip del circuito integrato da 45 A,Carica di gate ridotta CoolMOS™ 8 |
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IPDQ60R055CM8 è un transistor MOSFET CoolMOSTM 8 Power N-Channel 600V con miglioramenti significativi delle prestazioni rispetto alle generazioni precedenti.Questo avanzato semiconduttore di potenza offre una riduzione della carica del gate (Qg) del 20% rispetto al CFD7, una riduzione del 12% delle perdite di cessazione (Eoss) rispetto ai CFD7, una riduzione del 3% dei costi di recupero inverso (Qrr) rispetto ai CFD7 e il più breve tempo di recupero inverso (trr) disponibile sul mercato.
| Parametro | Valore |
|---|---|
| ID (@ TC=25°C) massimo | 45 A |
| ID (@25°C) massimo | 45 A |
| IDpuls (@25°C) massimo | 148 A |
| Montaggio | SMT |
| Temperatura di funzionamento (Tj) | -55 °C a 150 °C |
| Pacco | Q-DPAK |
| Polarità | N |
| Ptot (@25°C) massimo | 236 W |
| QG (tipo @10V) | 51 n.C. |
| RDS (accesa) (@ Tj = 25°C) | 45.83315 mΩ |
| VDS max | 600 V |
| VGS (th) | 4.2 V |
Persona di contatto: Sales Manager
Telefono: 86-13410018555
Fax: 86-0755-83957753