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ISC025N06LM6 Chip di circuito integrato OptiMOSTM 6 Power Transistor 60V 143A 2.5 mOhms MOSFET a canale N

Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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Rassegne del cliente
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ISC025N06LM6 Chip di circuito integrato OptiMOSTM 6 Power Transistor 60V 143A 2.5 mOhms MOSFET a canale N

ISC025N06LM6 Chip di circuito integrato OptiMOSTM 6 Power Transistor 60V 143A 2.5 mOhms MOSFET a canale N
ISC025N06LM6 Chip di circuito integrato OptiMOSTM 6 Power Transistor 60V 143A 2.5 mOhms MOSFET a canale N

Grande immagine :  ISC025N06LM6 Chip di circuito integrato OptiMOSTM 6 Power Transistor 60V 143A 2.5 mOhms MOSFET a canale N

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: ISC025N06LM6
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: PG-TDSON-8
Tempi di consegna: 5-8 giorni lavorativi
Termini di pagamento: T/T,L/C,Western Union

ISC025N06LM6 Chip di circuito integrato OptiMOSTM 6 Power Transistor 60V 143A 2.5 mOhms MOSFET a canale N

Descrizione
Numero di parte: ISC025N06LM6 Vds - Tensione di rottura Drain-Source: 60 V
Id - Corrente di scarico continua: 143 A Rds On - Resistenza Drain-Source: 2,5 mOhms
Qg - Carica di gate: 22 nC Pd - Dissipazione di potenza: 100 W
Evidenziare:

Chip a circuito integrato 60V

,

Transistor di potenza 143A

,

MOSFET da 2

ISC025N06LM6 Chip di circuito integrato OptiMOSTM 6 Transistor di potenza
ISC025N06LM6 è un transistor MOSFET di potenza a 6 canali N di 60 V OptiMOSTM in un pacchetto PG-TDSON-8.che lo rende adatto per l'alta frequenza, applicazioni di commutazione ad alta efficienza.
Specifiche tecniche
Parametro Valore
Tecnologia - Sì.
Stile di montaggio SMD/SMT
Confezione / Cassa PG-TDSON-8
Polarità del transistor Canale N
Numero di canali 1 canale
Vds - Tensione di rottura della fonte di scarico 60 V
Id - Corrente di scarico continua 143 A
Rds On - Drain-Source Resistance 2.5 mOhms
Vgs - Tensione della sorgente di porta 20 V.
Vgs th - tensione di soglia della sorgente di porta 2.3 V
Qg - Carico di porta 22 n.C.
Intervallo di temperatura di funzionamento -55 °C a +175 °C
Pd - Dissipazione di potenza 100 W
Modalità canale Miglioramento
Tempo di caduta 2.9 ns
Trasconduttanza in avanti - Min 55 S
Tipo di prodotto MOSFET
E'ora di alzarsi. 1.4 ns
Sottocategoria Transistori
Tipo di transistor 1 canale N
Tempo di ritardo tipico di spegnimento 22.5 ns
Tempo di ritardo tipico di accensione 7 ns
Caratteristiche chiave
  • Tecnologia del silicio ad alte prestazioni
  • Optimizato il commutazione morbida
  • Azionamento del cancello a livello normale
  • 175°C nominale
  • Qualificazione industriale
  • Ottimizzato per SMPS ad alte prestazioni
  • Ottimizzato per la rettifica sincrona
  • N-canale, livello logico
  • RDS (on) con resistenza di accensione molto bassa
  • Resistenza termica superiore
  • 100% test di valanghe
Applicazioni
  • General purpose motor drive
  • Infrastrutture di telecomunicazione
  • Unità di alimentazione del server (PSU)
  • Conversione di potenza CC-DC
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I vostri prodotti sono originali?
Sì, tutti i prodotti sono originali, nuova importazione originale è il nostro scopo.
Quali certificati avete?
Siamo una società certificata ISO 9001:2015 e membro di ERAI.
Puoi supportare un ordine o un campione in piccole quantità? Il campione è gratuito?
Sì, supportiamo l'ordine di campione e il piccolo ordine. Il costo del campione è diverso a seconda del tuo ordine o progetto.
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E il tempo di consegna?
Possiamo spedire le parti in magazzino entro 5 giorni lavorativi. Se senza magazzino, confermeremo il tempo di consegna per te in base alla quantità dell'ordine.

Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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